[发明专利]一种抗瞬时辐射加固的集成电路版图结构

权利要求书

1.一种抗瞬时辐射加固的集成电路版图结构，其特征在于：包括P阱，N阱，NMOS器件，PMOS器件，第一P阱接触，第二P阱接触，第一N阱接触，第二N阱接触；其中，NMOS器件、第一P阱接触和第二P阱接触位于P阱中，PMOS器件、第一N阱接触和第二N阱接触位于N阱中；第一P阱接触在NMOS器件源端一侧，第二P阱接触在NMOS器件漏端一侧，第一P阱接触和第二P阱接触的面积之和不小于所在P阱面积的15％，第一N阱接触在PMOS器件源端一侧，第二N阱接触在PMOS器件漏端一侧，第一N阱接触和第二N阱接触的面积之和不小于所在N阱面积的15％；上述面积是指区域的平面版图面积。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：NMOS器件的源端如果在集成电路中接最低电位，第一P阱接触与该NMOS源端直接接触。

3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：PMOS器件的源端如果在集成电路中接最高电位，第一N阱接触与该PMOS源端直接接触。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：NMOS器件的源端如果在集成电路中接最低电位，第一P阱接触与该NMOS源端直接接触，且接触面采用相互交错形式。

5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于：所述的相互交错形式为第一P阱接触插入NMOS器件的源端且不超过源端边界。

6.根据权利要求4或5所述的结构，其特征在于：所述的相互交错截面形式为矩形，或工艺制造允许的其它形状。

7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：PMOS器件的源端如果在集成电路中接最高电位，那么第一N阱接触与该PMOS源端直接接触，且接触面采用相互交错形式。

8.根据权利要求7所述的结构，其特征在于：所述的相互交错形式为第一N阱接触插入PMOS器件的源端且不超过源端边界。

9.根据权利要求7所述的结构，其特征在于：所述的相互交错截面形式为矩形，或工艺制造允许的其它形状。

10.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：所述的第一P阱接触，第二P阱接触，第一N阱接触，第二N阱接触的版图形状为矩形，或者环绕相邻源端或漏端的半封闭形状，所述的半封闭形状的开口朝向栅端。