[发明专利]高频功率放大器以及功率放大模块

说明书

本发明提供一种能够抑制放大用的异质结双极晶体管的温度上升时的动作的热稳定性的降低的高频功率放大器。半导体芯片包括：至少一个第一晶体管，放大高频信号；第一外部连接用导电部件，与第一晶体管连接；偏置电路，包括对第一晶体管给予偏置电压的第二晶体管；以及第二外部连接用导电部件，与第二晶体管连接。在俯视时，第二外部连接用导电部件与第二晶体管至少部分重叠。

技术领域

本发明涉及高频功率放大器以及功率放大模块。

背景技术

对移动终端等的高频功率放大器使用异质结双极晶体管。在下述的专利文献1以及专利文献2中，公开了向放大电路的异质结双极晶体管供给温度补偿后的基极偏置电位的高频功率放大器。

在专利文献1所公开的高频功率放大器的基极偏置电路中，在放大用的双极晶体管的附近配置有温度检测用的二极管连接的晶体管。专利文献2所公开的高频功率放大器的基极偏置电路具备根据高频放大部的双极晶体管的温度上升使偏置电压降低的偏置电压降低部。偏置电压降低部具有二极管，该二极管的阴极与连接于高频放大部的双极晶体管的发射极的金属布线热耦合。

专利文献1：日本特开2001－274636号公报

专利文献2：日本特开2002－217378号公报

通过在异质结双极晶体管的附近配置温度检测用的二极管等元件，来提高异质结双极晶体管的热稳定性。根据本申请的发明人进行的模拟，发现若仅在放大用的异质结双极晶体管的附近配置温度检测用的元件的话，存在高频功率放大器的动作的热稳定性不充分的情况。这被认为是因为基极偏置电路的发射极跟随器晶体管(驱动用晶体管)受到放大电路的发热的影响，驱动用晶体管的hFE降低，电流供给能力下降。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够抑制放大用的异质结双极晶体管的温度上升时的动作的热稳定性的降低的高频功率放大器。本发明的另一目的在于提供一种具有该高频功率放大器的功率放大模块。

根据本发明的一个观点，提供一种高频功率放大器，具有半导体芯片，

上述半导体芯片包括：

至少一个第一晶体管，形成于基板，放大高频信号；

第一外部连接用导电部件，与上述第一晶体管连接；

偏置电路，包括对上述第一晶体管给予偏置电压的第二晶体管；以及

第二外部连接用导电部件，与上述第二晶体管连接，

在俯视时，上述第二外部连接用导电部件与上述第二晶体管至少部分重叠。

根据本发明的另一观点，提供一种功率放大模块，具有：

半导体芯片；以及

模块基板，安装有上述半导体芯片，

上述半导体芯片包括：

至少一个第一晶体管，放大高频信号；

第一外部连接用导电部件，与上述第一晶体管连接；

偏置电路，包括对上述第一晶体管给予偏置电压的第二晶体管；以及

第二外部连接用导电部件，与上述第二晶体管连接，

在俯视时，上述第二外部连接用导电部件与上述第二晶体管至少部分重叠，

上述模块基板具有：

电介质部分，由电介质材料形成；

第一焊盘和第二焊盘，分别与上述第一外部连接用导电部件和上述第二外部连接用导电部件对置，并分别与上述第一外部连接用导电部件和上述第二外部连接用导电部件连接；以及