[发明专利]高频功率放大器以及功率放大模块

权利要求书

1.一种高频功率放大器，

具有半导体芯片，所述半导体芯片包括：

至少一个第一晶体管，放大高频信号；

第一外部连接用导电部件，与所述第一晶体管连接；

偏置电路，包括对所述第一晶体管给予偏置电压的第二晶体管；以及

第二外部连接用导电部件，与所述第二晶体管连接，

在俯视时，所述第二外部连接用导电部件与所述第二晶体管至少部分重叠。

2.根据权利要求1所述的高频功率放大器，其中，

所述偏置电路还包括温度补偿用元件，所述温度补偿用元件伴随着温度的上升向使对所述第一晶体管给予的偏置电压降低的方向控制所述第二晶体管，

从所述第一晶体管到所述第二晶体管的最短距离比从所述第一晶体管到所述温度补偿用元件的最短距离长。

3.根据权利要求2所述的高频功率放大器，其中，

除了所述第二晶体管以及所述温度补偿用元件以外，所述偏置电路还包括偏置元件，所述偏置元件是电阻、电容以及晶体管中的至少一个，

在俯视时，所述偏置元件不与所述第一外部连接用导电部件重叠，而与所述第二外部连接用导电部件或者其它的外部连接用的导电部件重叠。

4.根据权利要求2或3所述的高频功率放大器，其中，

在所述半导体芯片配置多个所述至少一个第一晶体管，多个所述第一晶体管被分为至少2个组，对所述至少2个组分别设置所述第一外部连接用导电部件，所述温度补偿用元件配置在一个组的第一晶体管与另一个组的第一晶体管之间。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频功率放大器，其中，

所述第一晶体管为异质结双极晶体管，所述第一外部连接用导电部件与所述第一晶体管的发射极或者集电极连接，所述第二晶体管对所述第一晶体管的基极或者集电极给予电压。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的高频功率放大器，其中，

所述第一晶体管为场效应晶体管，所述第一外部连接用导电部件与所述第一晶体管的漏极或者源极连接，所述第二晶体管对所述第一晶体管的栅极或者漏极给予电压。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的高频功率放大器，其中，

在俯视时，所述第一晶体管被包含于所述第一外部连接用导电部件。

8.一种功率放大模块，具有：

半导体芯片；以及

模块基板，安装有所述半导体芯片，

所述半导体芯片包括：

至少一个第一晶体管，放大高频信号；

第一外部连接用导电部件，与所述第一晶体管连接；

偏置电路，包括对所述第一晶体管给予偏置电压的第二晶体管；以及

第二外部连接用导电部件，与所述第二晶体管连接，

在俯视时，所述第二外部连接用导电部件与所述第二晶体管至少部分重叠，

所述模块基板具有：

电介质部分，由电介质材料形成；

第一焊盘和第二焊盘，分别与所述第一外部连接用导电部件和所述第二外部连接用导电部件对置，并且分别与所述第一外部连接用导电部件和所述第二外部连接用导电部件连接；以及

导体图案，配置于所述电介质部分的内层并与所述第二焊盘连接，具有在俯视时内包所述第二焊盘的大小以及形状。

9.根据权利要求8所述的功率放大模块，其中，

所述偏置电路还包括温度补偿用元件，所述温度补偿用元件伴随着温度的上升向使对所述第一晶体管给予的偏置电压降低的方向控制所述第二晶体管，

从所述第一晶体管到所述第二晶体管的最短距离比从所述第一晶体管到所述温度补偿用元件的最短距离长。