[发明专利]嵌入式闪存的制作方法

说明书

本发明公开了一种嵌入式闪存的制作方法，包括：提供一基底，基底包括逻辑区和存储区，存储区上形成有前端结构；对逻辑区进行离子注入，以在其内形成第一器件的第一阱区，第二器件的第二阱区和第三器件的漂移区；依次形成覆盖存储区和逻辑区的栅氧层和多晶硅层，形成图案化的第二光阻层并以其为掩膜，对多晶硅层进行第一次刻蚀，以形成开口；对开口进行离子注入工艺，以形成第三器件的第三阱区；去除图案化的第二光阻层；形成图案化的第三光阻层并以其为掩膜，对多晶硅层进行第二次刻蚀，以分别在前端结构的两侧形成字线栅，在逻辑区上形成第一器件的第一栅极结构，第二器件的第二栅极结构和第三器件的第三栅极结构。本发明降低了制备成本。

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其是涉及一种与单片集成工艺集成的嵌入式闪存的制作方法。

背景技术

BCD工艺是一种单片集成工艺技术，其可以在同一芯片上制作双极管(bipolar)、互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)器件和双重扩散金属氧化物半导体(Double diffused metal oxide semiconductor，DMOS)器件，它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点。更为重要的是，它集成了DMOS功率器件，DMOS可以在开关模式下工作，功耗极低。不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。低功耗是BCD工艺的一个主要优点之一。整合过的BCD工艺制程，可大幅降低功率耗损，提高系统性能，节省电路的封装费用，并具有更好的可靠性。

目前将嵌入式闪存(eflash)的制备工艺与BCD工艺相结合来制备嵌入式闪存的制作方法已被采用，但是现有的与BCD工艺集成的嵌入式闪存的制备过程中采用的光罩层次较多，提高了制备成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种嵌入式闪存的制作方法，用以解决现有技术中，与BCD工艺集成的嵌入式闪存的制备过程中采用的光罩层次较多，导致制备成本提高的问题。

为了解决上述问题，本发明通过以下技术方案实现：

一种嵌入式闪存的制作方法，包括：

提供一基底，所述基底包括逻辑区和存储区，所述存储区上形成有前端结构；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述逻辑区和所述存储区；

形成图案化的第一光阻层，以所述图案化的第一光阻层为掩膜，

对所述逻辑区进行离子注入工艺，以在所述逻辑区的所述基底内形成第一器件的第一阱区，第二器件的第二阱区和第三器件的漂移区；

去除所述图案化的第一光阻层和所述牺牲层；

依次形成栅氧层和多晶硅层，所述栅氧层和多晶硅层覆盖所述存储区和所述逻辑区；

形成图案化的第二光阻层，以所述图案化的第二光阻层为掩膜，对所述多晶硅层进行第一次刻蚀，以在所述多晶硅层内形成开口，所述开口的底部暴露出所述栅氧层；

对所述开口进行离子注入工艺，以在所述逻辑区的所述基底内形成所述第三器件的第三阱区；

去除所述图案化的第二光阻层；

形成图案化的第三光阻层，以所述图案化的第三光阻层为掩膜，对所述多晶硅层进行第二次刻蚀，以分别在所述前端结构的两侧形成字线栅，在所述逻辑区上形成所述第一器件的第一栅极结构，所述第二器件的第二栅极结构和所述第三器件的第三栅极结构。

进一步的，还包括：形成侧墙介质层，所述侧墙介质层覆盖所述存储区和所述逻辑区；