[发明专利]一种碳化硅长晶炉生产设备的控制方法及控制系统在审

专利信息
申请号: 201910775740.5 申请日: 2019-08-21
公开(公告)号: CN110552062A 公开(公告)日: 2019-12-10
发明(设计)人: 王大伟;宗艳民;曲光军;赵爱梅;王雅儒 申请(专利权)人: 山东天岳先进材料科技有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B35/00
代理公司: 37232 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 代理人: 韩玉昆
地址: 250100 山东省济南市高新区*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 工作数据 碳化硅 生产设备 长晶炉 监控平台 人机操作 控制器 调整指令 集中管理控制 服务器获取 目标控制器 碳化硅晶体 控制系统 人工成本 生产效率 现场巡检 服务器 存储 监控 响应 申请 展示 管理
【说明书】:

本申请涉及碳化硅晶体生产领域,具体公开了一种碳化硅长晶炉生产设备的控制方法及控制系统,方法包括:控制器获取碳化硅长晶炉生产设备的工作数据;服务器通过控制器获取至少一个受所述控制器管理的碳化硅长晶炉生产设备的工作数据;人机操作监控平台从服务器获取已存储的碳化硅长晶炉生产设备的工作数据并展示;人机操作监控平台接收工作数据调整指令,并响应于调整指令,以控制第一目标控制器进行相应工作数据的调整。工作人员通过人机操作监控平台即可完成在碳化硅长晶过程中,对工作数据的监控以及对工作数据的修改,无需人工现场巡检,十分方便,减少了人工成本。并且通过集中管理控制碳化硅长晶炉生产设备,提高了生产效率。

技术领域

本申请涉及碳化硅晶体生产领域,具体涉及一种碳化硅长晶炉生产设备的控制方法及系统。

背景技术

半导体碳化硅单晶材料是继以硅材料为代表的第一代半导体材料、砷化镓和磷化铟等为代表的第二代半导体材料之后的新一代半导体单晶材料。其优异的物理性能包括较大的禁带宽度、高导热系数、高临界击穿场强和高饱和电子迁移率等,是功率电子器件、微波射频器件的优选衬底材料。然而,相较于材料本身的优异的物理性能和下游应用市场的迫切需求,碳化硅单晶衬底的质量提升和成本降低仍显不足。因此提高碳化硅长晶炉生产设备在生产过程中智能化控制技术尤为重要。

现有技术中,碳化硅长晶炉生产设备主流控制技术为单机控制技术,即每台碳化硅长晶炉生产设备采用独立的控制器采集多种传感器参数并进行运算处理,各传感器数据处理后与工艺参数进行逻辑处理,逻辑运算处理结果输出给现场执行单元,以达到精确控制碳化硅生长所需的最佳环境。

由于单机碳化硅长晶炉生产设备内部传感器参数,工艺参数等数据量较大,导致生产监视及调整数据效率较低,多台碳化硅长晶炉生产设备工艺参数数据无法共享等问题,制约了生产效率。并且每台碳化硅长晶炉生产设备需要定期巡检,巡检调控工艺参数,导致人力成本较高。

发明内容

为了解决上述问题,本申请提出了一种碳化硅长晶炉生产设备的控制方法,所述方法包括:控制器获取碳化硅长晶炉生产设备的工作数据;服务器通过所述控制器获取至少一个受所述控制器管理的碳化硅长晶炉生产设备的工作数据;人机操作监控平台从所述服务器获取已存储的碳化硅长晶炉生产设备的工作数据并展示;所述人机操作监控平台接收工作数据调整指令,并响应于所述调整指令,通过所述服务器向第一目标控制器发送控制指令,以控制所述第一目标控制器进行相应工作数据的调整,其中,所述第一目标控制器为待调整工作数据的控制器。

在一个示例中,所述方法还包括:所述人机操作监控平台接收生产配方发送指令,并响应于所述发送指令,通过所述服务器向第二目标控制器发送生产配方数据,以使所述第二目标控制器根据所述生产配方生产碳化硅晶体,其中,所述第二目标控制器为待接收生产配方的控制器。

在一个示例中,一个控制器用于管理至少一个碳化硅长晶炉生产设备。

在一个示例中,在所述服务器通过所述控制器获取至少一个受所述控制器管理的碳化硅长晶炉生产设备的工作数据之后,所述方法还包括:若所述服务器确定获取到的至少一项工作数据超过预设阈值,则所述服务器通过所述人机操作监控平台采用预设的告警方式发出告警,所述预设告警方式至少包括图像显示和/或音频播放。

在一个示例中,工作数据包括碳化硅长晶炉生产设备的运行数据和/或工艺参数,碳化硅长晶炉生产设备的运行数据包括传感器运行数据和/或执行器运行数据。

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