[发明专利]一种具有活动盖板的湿蚀刻设备及湿蚀刻方法有效
申请号: | 201910764932.6 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN110429053B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 顾玲燕;朱龙;任奕宇;李翔;承明忠 | 申请(专利权)人: | 江阴江化微电子材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 无锡坚恒专利代理事务所(普通合伙) 32348 | 代理人: | 杜兴 |
地址: | 214400 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 活动 盖板 蚀刻 设备 方法 | ||
本发明公开了一种具有活动盖板的湿蚀刻设备,包括蚀刻箱体,蚀刻箱体的内腔中由下至上依次设置有工件传送组件、喷淋组件,喷淋组件与蚀刻箱体顶面之间设置有活动盖板组件,活动盖板组件包括两平行的输送辊、张紧设置在输送辊外的输送带、位于蚀刻箱体外且与输送辊连接的辊旋转驱动件、阵列分布于输送带上的若干个通孔和位于输送带下方且沿输送带带宽方向设置的扁平状吹风喷嘴,扁平状吹风喷嘴的出风方向与输送带的输送方向夹角为95~120°;输送辊的两端具有高度差,和/或位于输送辊顶端和底端的输送带层之间设置有扁平风刀,扁平风刀的出风口倾斜向下并朝向输送带。通过输送带和扁平状吹风喷嘴,改善滴落和喷射至工件蚀刻面的蚀刻液浓度差导致的蚀刻不均问题。
技术领域
本发明涉及湿法蚀刻设备技术领域,具体涉及一种具有活动盖板的湿蚀刻设备及湿蚀刻方法。
背景技术
湿法刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的刻蚀方法。大多数湿法刻蚀是不容易控制的各向同性刻蚀。湿蚀刻的特点在于适应性强,表面均匀性好、对硅片损伤少,几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料。
液晶显示面板的制作过程中广泛的使用到湿蚀刻制程,湿蚀刻所用蚀刻液通常采用溅射、液化、雾化等方式落至工件的蚀刻表面,蚀刻设备的盖板上不可避免地附着蚀刻液。工件持续进料、蚀刻、出料,蚀刻液中各组分的浓度发生变化,即盖板上滴落的蚀刻液组分浓度与实际喷撒到工件表面的蚀刻液组分浓度存在差异,容易导致工件局部蚀刻不均。传统的处理方法包括定期维护保养,冲洗蚀刻槽体盖板并用无尘布擦拭,上述传统方法的缺陷在于:第一,保养工作量大;第二,蚀刻液通常具有强酸强碱性或者强氧化性,保养工作中需要特别注意作业安全。
改进的技术方案如CN109166809A中所述的,通过驱动件带动多个刮片器对蚀刻设备的盖板进行刮拭处理,并通过液体吸收装置快速吸收蚀刻液。进一步优选的,刮片器、传动机构中的曲柄、连杆、摆杆、铰链、蜗杆即涡轮均为铁氟龙、聚丙烯或者可溶性聚四氟乙烯材质,改进的技术方案结构复杂,传动机构多,不仅增加了杂质引入蚀刻设备内腔的风险,还会导致蚀刻设备整体高度增加,影响蚀刻设备中蚀刻液喷洒组件、扁平状吹风喷嘴等的设置。ITO、IZO的显示电极的加工方法中的草酸ITO蚀刻液经长期使用后,还会在蚀刻设备中形成草酸铟结晶。上述改进方案中的传动机构复杂,草酸铟结晶的清洗工作量大。
因此,有必要对现有技术中的蚀刻设备进行结构改进。
发明内容
本发明的目的之一在于克服现有技术中存在的缺陷,提供一种具有活动盖板的湿蚀刻设备,利用输送带作为活动盖板,溅射到下层输送带外表面的蚀刻液经由输送带内表面导出至输送带侧边并流出,有效改善蚀刻液滴落至工件蚀刻面的问题。
为了实现上述技术效果,本发明的技术方案为:一种具有活动盖板的湿蚀刻设备,包括蚀刻箱体,所述蚀刻箱体的内腔中由下至上依次设置有工件传送组件、喷淋组件,其特征在于,
喷淋组件与蚀刻箱体顶面之间设置有活动盖板组件,所述活动盖板组件包括两平行的输送辊、张紧设置在所述输送辊外的输送带、位于蚀刻箱体外且与所述输送辊连接的辊旋转驱动件、阵列分布于输送带上的若干个通孔和位于输送带下方且沿输送带带宽方向设置的扁平状吹风喷嘴,所述扁平状吹风喷嘴的出风方向与输送带的输送方向夹角为95~120°;所述输送辊的两端具有高度差,和/或位于输送辊顶端和底端的输送带层之间设置有扁平风刀,扁平风刀的出风口倾斜向下并朝向输送带。
优选的技术方案为,还包括耐腐蚀风机,耐腐蚀风机的出风口与所述扁平状吹风喷嘴连通,或者耐腐蚀风机的出风口与所述扁平状吹风喷嘴以及扁平风刀连通,耐腐蚀风机的进风口与所述蚀刻箱体的内腔连通。
优选的技术方案为,所述输送带为外表面经亲水改性的聚四氟乙烯片材,所述输送带的外表面设置有凹槽,所述凹槽与所述通孔的孔口相连接,所述凹槽的延伸方向与输送带的带长延伸方向一致。
优选的技术方案为,所述通孔的中心轴与所述扁平状吹风喷嘴的出风方向一致。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造