[发明专利]一种高亮度图形化复合衬底及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201910742940.0 申请日: 2019-08-13
公开(公告)号: CN110444641B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 李昌勋;史伟言;徐良;刘建哲;夏建白;朱伟明;张磊 申请(专利权)人: 黄山博蓝特半导体科技有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/00
代理公司: 芜湖众汇知识产权代理事务所(普通合伙) 34128 代理人: 曹宏筠
地址: 245000 安徽省黄山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 亮度 图形 复合 衬底 及其 制作方法
【说明书】:

发明公开了一种高亮度图形化复合衬底及其制作方法,所述高亮度图形化复合衬底包括蓝宝石平片,所述蓝宝石平片上分布有一组复合图形,所述复合图形包括纳米球反射层和包覆在纳米球反射层表面的SiO2涂层。其制作方法主要包括以下步骤:在蓝宝石平片上形成一层纳米球反射层;在纳米球反射层上沉积一层SiO2涂层;在SiO2涂层上涂覆一层正性光刻胶涂层,并曝光、显影选择性的去除不需要的部分形成胶柱;以胶柱和SiO2涂层作为阻挡层进行ICP刻蚀得到复合衬底。本发明通过蓝宝石平片、纳米球和SiO2形成复合衬底,纳米球在复合图形中形成蒙古包形微观结构,且纳米球为金属材质,有效减少了光线折射,增加光的反射效率,从而提高图形化蓝宝石衬底的LED芯片的亮度。

技术领域

本发明涉及LED衬底制造领域,尤其是涉及一种高亮度图形化复合衬底及其制作方法。

背景技术

众所周知,PSS(图形化蓝宝石衬底)处于LED显示行业中上游流程,起着至关重要的作用,可以有效减少GaN外延材料的位错密度,从而减小有源区的非辐射复合,减小反向漏电流,提高LED的寿命等诸多优势。目前普遍采用微纳米图案化蓝宝石衬底技术,通过在外延的蓝宝石衬底表面制作出有周期排列的锥形图形,利用蓝宝石图形化衬底上锥形斜面势能高的特性,控制外延生长参数长出较高质量的GaN。但随着LED显示行业的飞速发展,消费市场对产品品质和亮度要求越来越高,目前传统微纳米图案化蓝宝石衬底的LED芯片亮度技术上遇到瓶颈,如果能提高约2%以上将是革命性的突破。

伴随着消费市场的高要求,目前传统微纳米图案化蓝宝石衬底难以满足要求,因此必须从材料和结构方面入手,采用新的蓝宝石衬底制备方法以满足人们的要求。

发明内容

本发明的目的是提供高亮度图形化复合衬底及其制作方法,用于进一步提高蓝宝石衬底的亮度。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种高亮度图形化复合衬底,包括蓝宝石平片,所述蓝宝石平片上分布有一组复合图形,所述复合图形包括纳米球反射层和包覆在纳米球反射层表面的SiO2涂层。

进一步的,所述纳米球反射层中的纳米球为金属材质,纳米球的粒径为50-500nm。

为防止金属氧化,同时方便加工形成纳米球反射层,所述纳米球的表面还包覆有一层SiO2或TiO2

本发明还公开了一种高亮度图形化复合衬底的制作方法,包括以下步骤:

(1)首先提供一表面平整的蓝宝石平片,清洗去除表面的杂质;

(2)在清洗后的蓝宝石平片上形成一层纳米球反射层;

(3)在纳米球反射层上沉积一层SiO2涂层;

(4)在SiO2涂层上涂覆一层正性光刻胶涂层,并曝光、显影后在SiO2涂层上形成一组胶柱;

(5)以胶柱和SiO2涂层作为阻挡层进行ICP刻蚀,刻蚀后获得所需的高亮度图形化复合衬底。

具体的,所述步骤(1)中的蓝宝石平片先经过丙酮刷洗5~10分钟,然后在90℃的浓H2SO4与H2O2组成的混合溶液中清洗10~15分钟,所述浓H2SO4与H2O2的体积比为3:1或5:2;再送至80℃的去离子水中清洗8~10分钟,然后在25℃的去离子水中清洗5~10分钟,最后将蓝宝石平片高速甩干3~10分钟。

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