[发明专利]一种高亮度图形化复合衬底及其制作方法

权利要求书

1.一种高亮度图形化复合衬底的制作方法，包括以下步骤：

(1)首先提供一表面平整的蓝宝石平片，清洗去除表面的杂质；

(2)在清洗后的蓝宝石平片上形成一层纳米球反射层；

(3)在纳米球反射层上沉积一层SiO₂涂层；

(4)在SiO₂涂层上涂覆一层正性光刻胶涂层，并曝光、显影后在SiO₂涂层上形成一组胶柱；

(5)以胶柱和SiO₂涂层作为阻挡层进行ICP刻蚀，刻蚀后获得所需的高亮度图形化复合衬底。

2.根据权利要求1所述的高亮度图形化复合衬底的制作方法，其特征在于：所述步骤(1)中的蓝宝石平片先经过丙酮刷洗5～10分钟，然后在90℃的浓H₂SO₄与H₂O₂组成的混合溶液中清洗10～15分钟，所述浓H₂SO₄与H₂O₂的体积比为3:1或5:2；再送至80℃的去离子水中清洗8～10分钟，然后在25℃的去离子水中清洗5～10分钟，最后将蓝宝石平片高速甩干3～10分钟。

3.根据权利要求1所述的高亮度图形化复合衬底的制作方法，其特征在于：所述步骤(2)中纳米球为金属材质，直径为50-500nm。

4.根据权利要求3所述的高亮度图形化复合衬底的制作方法，其特征在于：所述纳米球的材料为Au、Ag、Ni、Pt、Mg、Fe、Cu、Ca、Ti、Al中的一种或者几种金属的混合物，所述纳米球的表面还包覆有一层SiO₂或TiO₂。

5.根据权利要求1所述的高亮度图形化复合衬底的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)采用等离子增强化学气相沉积方法在纳米球反射层上沉积一层SiO₂涂层，SiO₂厚度为0.5～3.0μm，等离子增强化学气相沉积使用的腔体内温度为100～500℃，时间为3000-8000s。

6.根据权利要求1所述的高亮度图形化复合衬底的制作方法，其特征在于：所述步骤(4)正性光刻胶涂层膜厚为0.5～3.0μm，曝光时间为50～400毫秒。

7.根据权利要求1所述的高亮度图形化复合衬底的制作方法，其特征在于：所述步骤(5)所述的ICP蚀刻是对步骤(4)处理后的蓝宝石平片送入刻蚀机中进行等离子体干法刻蚀，所述刻蚀机上电极功率为100-2000W，下电极功率为100-1500W，BCL₃流量为50-200sccm，CHF₃流量为0-20sccm，刻蚀温度为10-50℃，氦气压力为1-10mTorr，刻蚀时间为100-2000s。