[发明专利]半导体制造装置

说明书

实施方式提供一种能够避免电弧的产生的半导体制造装置。一实施方式的半导体制造装置具备：支承半导体基板的载置台；以及导电性的环状部件，以包围半导体基板的方式设于载置台的外周部。载置台具有在环状部件的内周端部的下部设置的槽。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2019－33178号(申请日：2019年2月26日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体制造装置。

背景技术

在半导体制造装置中，有在产生了等离子体的状态下在半导体基板上形成导电膜的成膜装置。在这种成膜装置中，半导体基板载置于载置台上。另外，在载置台的外周部为了均匀地产生等离子体而设有被称为边缘环的环状部件。

在上述那样的成膜装置中产生了等离子体时，膜不仅形成在半导体基板上，也形成在边缘环上以及载置台上。因此，有因形成在半导体基板上的膜和从边缘环连续到载置台的膜的电位差而产生电弧的情况。在该情况下，成膜装置停止而阻碍一并成膜。另外，担心装置内的部件因电弧而破损。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够避免电弧的产生的半导体制造装置。

一实施方式的半导体制造装置具备：支承半导体基板的载置台；以及导电性的环状部件，以包围半导体基板的方式设于载置台的外周部。载置台具有设于环状部件的内周端部的下部的槽。

附图说明

图1是第一实施方式的半导体制造装置的概略的剖面图。

图2是图1所示的区域R的放大图。

图3是第一实施方式的半导体制造装置的主要部分的俯视图。

图4是放大了比较例的半导体制造装置的一部分的剖面图。

图5是变形例1的槽的剖面图。

图6是变形例2的槽的剖面图。

图7是变形例2的槽的俯视图。

图8是变形例3的槽的剖面图。

图9是第二实施方式的半导体制造装置的概略的剖面图。

图10是表示第二实施方式的边缘环的支承方式的立体图。

附图标记说明

1、2：半导体制造装置，10：载置台，11：槽，20：边缘环(环状部件)，40：支承腿，100：半导体基板

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。本实施方式不限定本发明。

(第一实施方式)

图1是第一实施方式的半导体制造装置的概略的剖面图。图2是图1所示的区域R的放大图。图3是第一实施方式的半导体制造装置的主要部分的俯视图。

图1、图2、以及图3所示的半导体制造装置1是在产生了等离子体的状态下通过CVD(Chemical Vapor Deposition)法成膜的等离子体CVD装置。该半导体制造装置1具备载置台10、边缘环20、以及电极板30。

在载置台10的上表面载置晶片状的半导体基板100。载置台10具有用于加热半导体基板100的加热功能。而且，在载置台10的上表面设有槽11。如图3所示，槽11是环状槽。

边缘环20是以包围半导体基板100的方式设置在载置台10的外周部并具有梯形的截面的环状部件。边缘环20由导电性的材料形成。