[发明专利]半导体制造装置有效
| 申请号: | 201910700558.3 | 申请日: | 2019-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN111607782B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
| 发明(设计)人: | 浅井俊晶;阿佐见范之 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/513 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 制造 装置 | ||
1.一种半导体制造装置,其中,具备:
载置台,支承半导体基板;以及
导电性的环状部件,以包围所述半导体基板的方式设于所述载置台的外周部,
所述载置台具有在所述环状部件的内周端部的下部设置的槽,所述槽的一部分从所述环状部件的内周端部露出。
2.如权利要求1所述的半导体制造装置,其中,
所述槽是沿所述环状部件的内周端部的整周设置的环状槽。
3.如权利要求1或2所述的半导体制造装置,其中,
所述槽的内缘部位于比所述内周端部的所述下部靠所述载置台的中央侧的位置,
所述槽的外缘部位于比所述内周端部的所述下部靠所述载置台的外周侧的位置。
4.如权利要求3所述的半导体制造装置,其中,
所述槽的所述内缘部位于所述半导体基板的外周端部的下部。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





