[发明专利]测试图案组和包括其的半导体器件

说明书

本发明涉及一种测试图案组和包括其的半导体器件。该测试图案组包括多个测试图案。所述多个测试图案的每个包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一鳍状物组和第二鳍状物组，第一鳍状物组和第二鳍状物组的每个包括分别在基板的第一区域和基板的第二区域上延伸的鳍状物；第一栅极结构和第二栅极结构，每个分别位于第一鳍状物组和第二鳍状物组上并且形成为与第一鳍状物组和第二鳍状物组的鳍状物交叉；形成在第一源极/漏极上的第一源极/漏极接触；形成在第二源极/漏极上的第二源极/漏极接触；形成在第一栅极结构上的第一栅极接触；形成在第二栅极结构上的第二栅极接触。第一鳍状物组中包括的鳍状物的数量多于第二鳍状物组中包括的鳍状物的数量。

技术领域

本发明构思的示例实施方式涉及测试图案组和/或包括其的半导体器件。

背景技术

随着半导体器件趋向于高度集成，半导体器件的部件之间的对准、隔离和电连接显著地影响半导体器件的产量。因此，在制造半导体器件的工艺中，可以期望设计用于测试半导体器件的部件是否形成并工作的测试图案组。

发明内容

本发明构思的示例实施方式提供了测试图案组和/或包括其的半导体器件，该测试图案组用于执行电测试，从而抑制(或者作为选择地，防止)在通过在鳍状物切割工艺中未被去除而保留的寄生鳍状物与半导体器件的接触之间产生电短路。

根据本发明构思的一示例实施方式，提供了一种测试图案组，其包括多个测试图案，所述多个测试图案的每个包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一鳍状物组，包括在基板的第一区域上延伸的第一鳍状物；第二鳍状物组，包括在基板的第二区域上延伸的第二鳍状物，第二鳍状物组的第二鳍状物的数量少于第一鳍状物组的第一鳍状物的数量；第一栅极结构，在第一鳍状物组上使得第一栅极结构交叉第一鳍状物组的第一鳍状物；第二栅极结构，在第二鳍状物组上使得第二栅极结构交叉第二鳍状物组的第二鳍状物；在第一栅极结构的侧部的第一源极/漏极；在第二栅极结构的侧部的第二源极/漏极；在第一源极/漏极上的第一源极/漏极接触；在第二源极/漏极上的第二源极/漏极接触；在第一栅极结构上的第一栅极接触；以及在第二栅极结构上的第二栅极接触。

根据本发明构思的一示例实施方式，提供了一种测试图案组，其包括多个测试图案，所述多个测试图案的每个包括第一测试图案和第二测试图案。第一测试图案包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一鳍状物组，包括在基板的第一区域上延伸的第一鳍状物；第二鳍状物组，包括在基板的第二区域上延伸的第二鳍状物，第二鳍状物组的第二鳍状物的数量少于第一鳍状物组的第一鳍状物的数量，并且第二鳍状物组的第二鳍状物与第一鳍状物组的第一鳍状物电断开；第一栅极结构，在第一鳍状物组上使得第一栅极结构交叉第一鳍状物组的第一鳍状物；第二栅极结构，在第二鳍状物组上使得第二栅极结构交叉第二鳍状物组的第二鳍状物；在第一栅极结构的侧部的第一源极/漏极；在第二栅极结构的侧部的第二源极/漏极；在第一源极/漏极上的第一源极/漏极接触；在第二源极/漏极上的第二源极/漏极接触；在第一栅极结构上的第一栅极接触；以及在第二栅极结构上的第二栅极接触。第二测试图案在第一测试图案下方，第二测试图案包括：第三鳍状物组，包括在基板上延伸的第三鳍状物；第三栅极结构，在第三鳍状物组上使得第三栅极结构与第三鳍状物组的第三鳍状物交叉；在第三栅极结构的侧部的第三源极/漏极；以及在第三源极/漏极上的第三源极/漏极接触。