[发明专利]测试图案组和包括其的半导体器件

权利要求书

1.一种测试图案组，包括：

多个测试图案，所述多个测试图案的每个包括：

基板，包括第一区域和第二区域，

第一鳍状物组，包括在所述基板的所述第一区域上延伸的第一鳍状物，

第二鳍状物组，包括在所述基板的所述第二区域上延伸的第二鳍状物，所述第二鳍状物组的所述第二鳍状物的数量少于所述第一鳍状物组的所述第一鳍状物的数量，

第一栅极结构，在所述第一鳍状物组上使得所述第一栅极结构交叉所述第一鳍状物组的所述第一鳍状物，

第二栅极结构，在所述第二鳍状物组上使得所述第二栅极结构交叉所述第二鳍状物组的所述第二鳍状物，

在所述第一栅极结构的侧部的第一源极/漏极，

在所述第二栅极结构的侧部的第二源极/漏极，

在所述第一源极/漏极上的第一源极/漏极接触，

在所述第二源极/漏极上的第二源极/漏极接触，

在所述第一栅极结构上的第一栅极接触，和

在所述第二栅极结构上的第二栅极接触。

2.根据权利要求1所述的测试图案组，其中所述第一鳍状物组和所述第二鳍状物组在所述基板上，使得所述第一鳍状物组不与所述第二鳍状物组电连接。

3.根据权利要求1所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触的尺寸在所述多个测试图案之中变化。

4.根据权利要求3所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触在第一方向上的第一长度在所述多个测试图案之中变化，所述第一方向是所述第二鳍状物组的所述第二鳍状物延伸的方向。

5.根据权利要求4所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触在所述第一方向上的所述第一长度以1nm至100nm的增量变化。

6.根据权利要求4所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触在所述第一方向上的所述第一长度不同于所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触在第二方向上的第二长度，所述第二方向垂直于所述第一方向。

7.根据权利要求6所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触在所述第二方向上的所述第二长度以1nm至100nm的增量变化。

8.根据权利要求1所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触的位置在所述多个测试图案之中变化。

9.根据权利要求8所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触的位置在第一方向和第二方向中的至少一个方向上在所述多个测试图案之中变化，所述第一方向是所述第二鳍状物组的所述第二鳍状物延伸的方向，并且所述第二方向垂直于所述第一方向。