[发明专利]半导体结构和形成半导体结构的方法

说明书

方法包括以下步骤。第一心轴形成在衬底上方的目标层上，其中第一心轴包括心轴岛和第一心轴条，心轴岛包括第一侧壁和垂直于第一侧壁的第二侧壁，并且第一心轴条从心轴岛的第一侧壁延伸。沿着心轴岛的第一和第二侧壁以及第一心轴条的侧壁形成第一间隔件。从目标层去除第一心轴。当第一间隔件保留在目标层上时，图案化目标层。本发明的实施例还涉及半导体结构和形成半导体结构的方法以及自对准双重图案化工艺及使用其形成的半导体结构。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体结构和形成半导体结构的方法。

背景技术

随着半导体器件越来越按比例缩小，诸如光刻的各种处理技术适于允许制造具有越来越小尺寸的器件。然而，由于半导体工艺需要较小的工艺窗口，这些器件的制造已经接近甚至超过了光刻设备的理论极限。随着半导体器件继续缩小，器件的元件之间所需的间隔(即，间距)小于可使用传统光学掩模和光刻设备制造的间距。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上的目标层上形成第一心轴，其中，所述第一心轴包括心轴岛和第一心轴条，所述心轴岛包括第一侧壁和垂直于所述第一侧壁的第二侧壁，并且所述第一心轴条从所述心轴岛的所述第一侧壁延伸；沿着所述心轴岛的所述第一侧壁和所述第二侧壁以及所述第一心轴条的侧壁形成第一间隔件；从所述目标层去除所述第一心轴；以及当所述第一间隔件保留在所述目标层上时，图案化所述目标层。

本发明的另一实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上的目标层上形成第一心轴，其中，所述第一心轴包括第一心轴岛、第一心轴条和第二心轴条，其中，所述第一心轴岛包括第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第一心轴条和所述第二心轴条分别从所述第一心轴岛的所述第一侧壁和所述第二侧壁延伸并且未对准；形成第一间隔件，所述第一间隔件沿着所述第一心轴条、所述第一心轴岛和所述第二心轴条的侧壁延伸；从所述目标层去除所述第一心轴；以及使用至少所述第一间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻所述目标层。

本发明的又一实施例提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；金属间介电(IMD)层，位于所述半导体衬底上；第一导电通孔，位于所述金属间介电层中；导线，位于所述第一导电通孔上，其中，所述导线包括第一条部分、通孔着陆部分和连接所述第一条部分和所述通孔着陆部分的第一圆形拐角，其中，当从所述导线上方观察时，所述第一圆形拐角具有钝角拐角；以及第二导电通孔，位于所述通孔着陆部分上。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据本发明的一些实施例的用于制造半导体结构的示例性方法。

图2A至图10B示出了根据一些实施例的图1的方法的各个中间阶段。

图11是根据本发明的一些实施例的用于制造半导体结构的示例性方法。

图12A至图14B示出了根据一些实施例的图11的方法的各个中间阶段。

图15示出了根据本发明的一些实施例的心轴和间隔件。

图16示出了根据本发明的一些实施例的心轴和间隔件。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本发明。当然这些仅是实例而不旨在限制。例如，元件的尺寸不限于所公开的范围或值，但可能依赖于工艺条件和/或器件所需的性能。此外，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。为了简单和清楚的目的，各个部件可以以不同的比例任意地绘制。