[发明专利]半导体结构和形成半导体结构的方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

在衬底上的目标层上形成第一心轴和第二心轴，所述第二心轴与所述第一心轴相邻，并且所述第二心轴与所述第一心轴均呈Z形且基本平行，其中，所述第一心轴包括心轴岛和第一心轴条和第二心轴条，所述心轴岛包括第一侧壁和垂直于所述第一侧壁的第二侧壁，并且所述第一心轴条从所述心轴岛的所述第一侧壁延伸并且所述第二心轴条从面向远离所述第一侧壁的所述心轴岛的第三侧壁延伸，并且其中，所述第二心轴包括另一心轴岛、从所述另一心轴岛的靠近所述第三侧壁的第四侧壁延伸的第三心轴条，以及从面向远离所述第四侧壁的所述另一心轴岛的第五侧壁延伸的第四心轴条，其中，所述第三心轴条的长度大于所述第一心轴条的长度和所述心轴岛的沿着所述第一心轴条的长度方向的长度之和，并且Z形的所述第一心轴和所述第二心轴通过第一Z形间隙间隔开，所述第一Z形间隙具有垂直地位于所述第三心轴条和所述第二心轴条之间并且水平地位于所述心轴岛和所述另一心轴岛之间的无心轴区域；

沿着所述心轴岛的所述第一侧壁、所述第二侧壁和所述第三侧壁、以及所述第一心轴条和所述第二心轴条的侧壁形成第一间隔件，并且沿着所述另一心轴岛、所述第三心轴条以及所述第四心轴条的侧壁形成第二间隔件，所述第一间隔件具有位于所述心轴岛的拐角周围的圆形拐角；

从所述目标层去除所述第一心轴和所述第二心轴；以及

当所述第一间隔件和所述第二间隔件保留在所述目标层上时，图案化所述目标层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一心轴条与所述第二心轴的第三心轴条之间的距离不同于所述第二心轴条与所述第二心轴的第三心轴条之间的距离。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，执行形成所述第一间隔件，使得所述第一间隔件的第一间隔条和第二间隔条分别沿着所述第一心轴条与所述第二心轴条形成并且彼此未对准。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，执行形成所述第一间隔件，使得沿着所述心轴岛的所述第一侧壁形成所述第一间隔件的第三间隔条，并且所述方法还包括：

形成掩模以覆盖所述第一间隔件的所述第三间隔条，其中，在形成所述掩模之后执行图案化所述目标层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在图案化所述目标层之后，位于所述掩模下面的图案化的目标层的部分保持在所述衬底上，并且所述方法还包括：

在所述图案化的目标层的所述部分上形成导电通孔。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一心轴条的宽度在10nm至50nm的范围内。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一间隔件的第一间隔条和第二间隔条分别沿着所述第一心轴条与所述第二心轴条形成并且未对准。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行形成所述第一间隔件，使得沿着所述心轴岛的所述第三侧壁形成所述第一间隔件的第三间隔条，并且所述方法还包括：

形成掩模以覆盖所述第一间隔件的所述第三间隔条，其中，在形成所述掩模之后执行图案化所述目标层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一间隔件包括：

在所述第一心轴周围形成环形间隔件，其中，所述环形间隔件包括位于所述第一心轴条的端部周围的圆形端部以位于所述心轴岛的拐角周围的圆形拐角；以及

去除所述环形间隔件的所述圆形端部，其中，在去除所述圆形端部之后，所述环形间隔件的所述圆形拐角保留在所述心轴岛的拐角周围。