[发明专利]定向腔室及处理基板的方法

权利要求书

1.一种定向腔室，包括：

一基板固持座，配置以固持一基板；

一定向检测器，配置以检测该基板的定向；以及

一吹扫系统，配置以将一清洁气体注入该定向腔室中并从该基板上移除污染物，其中该吹扫系统包括一进气管以及一气体调节器，该进气管配置以将该清洁气体注入该定向腔室中并将该清洁气体引导到该基板；该气体调节器安装于该进气管上，并配置以调节供应到该定向腔室中的该清洁气体的量，其中该气体调节器根据从一气体检测器输出的一检测信号调节供应到该定向腔室中的该清洁气体的量，该检测信号表示从该基板释放的一特定气体污染物的含量。

2.如权利要求1所述的定向腔室，其中该吹扫系统还包括一出气管，配置以将该清洁气体从该定向腔室中移除。

3.如权利要求1所述的定向腔室，其中该清洁气体选自于由惰性气体、反应性气体及清洁干燥空气组成的群组。

4.如权利要求1所述的定向腔室，还包括一能量源，配置以向该基板提供能量以加速该基板上化学物质的释放。

5.如权利要求1所述的定向腔室，还包括一驱动机构，配置以根据从该定向检测器输出的一位置信号驱动该基板固持座转动该基板。

6.一种处理一基板的方法，包括：

提供用于基板处理的一半导体基板处理系统，该半导体基板处理系统包括一定向腔室及一处理模块；

在该定向腔室中定向该基板；

在该处理模块中处理该基板；

将经处理过的该基板从该处理模块转移到该定向腔室；以及

在该定向腔室中进行一除气处理，其中该除气处理通过将一第一清洁气体注入该定向腔室中以将从经处理过的该基板释放的一卤素气体移除来进行。

7.如权利要求6所述的方法，还包括通过该定向腔室中的一吹扫系统将该第一清洁气体注入该定向腔室中的操作。

8.如权利要求7所述的方法，还包括在进行该除气处理之前检测该定向腔室内的一特定卤素的操作。

9.如权利要求6所述的方法，其中该除气处理通过调节注入该定向腔室中的该第一清洁气体的量，使得该第一清洁气体足以移除来自经处理过的该基板的该卤素气体来进行。

10.如权利要求6所述的方法，还包括通过设置于该定向腔室的一能量源向该基板提供能量以在该除气处理期间加速该基板上该卤素气体的释放的操作。

11.如权利要求10所述的方法，其中该能量源选自于由紫外光源、微波发射器、等离子体产生器及加热机构组成的群组。

12.如权利要求6所述的方法，还包括在该定向腔室中定向该基板的同时在该基板上进行一吹扫处理的操作。

13.如权利要求12所述的方法，其中该吹扫处理通过将一第二清洁气体注入该定向腔室中以移除该基板上的微粒污染物来进行。

14.一种处理一基板的方法，包括：

提供用于基板处理的一半导体基板处理系统，该半导体基板处理系统包括一定向腔室及一处理模块；

在该定向腔室中定向该基板；

在该定向腔室中定向该基板的同时，将一第一清洁气体注入该定向腔室中以移除该基板上的微粒污染物；

在该处理模块中处理该基板；

将经处理过的该基板从该处理模块转移到该定向腔室；以及

将一第二清洁气体注入该定向腔室中，以将从经处理过的该基板释放的卤素气体移除。

15.如权利要求14所述的方法，其中注入到该定向腔室中的该第一清洁气体的流速不同于注入到该定向腔室中的该第二清洁气体的流速。

16.如权利要求14所述的方法，其中该第一清洁气体不同于该第二清洁气体。