[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供在安装到外部基板时能够抑制电连接不良的产生的半导体装置。半导体装置具有：半导体基板；多个第一双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有第一高度；至少一个以上的第二双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有比第一高度高的第二高度；以及第一凸块，遍布多个第一双极晶体管和至少一个以上的第二双极晶体管而配置。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

在专利文献1记载有在同一半导体基板上设置有第一双极晶体管和第二双极晶体管的半导体装置。构成第一双极晶体管的多个单位晶体管不具有发射极镇流电阻层。构成第二双极晶体管的多个单位晶体管具有发射极镇流电阻层。

专利文献1：日本特开2017－220584号公报

在专利文献1的半导体装置中，半导体基板的背面与第一双极晶体管的发射极布线(发射极的上表面)之间的高度不同于半导体基板的背面与第二双极晶体管的发射极布线(发射极的上表面)之间的高度。因此，在第一双极晶体管以及第二双极晶体管分别设置凸块，并经由凸块将半导体装置安装到模块基板的情况下，存在产生连接不良的可能性。

发明内容

本发明的目的在于提供在安装到外部基板时能够抑制电连接不良的产生的半导体装置。

本发明的一方面的半导体装置具有：半导体基板；多个第一双极晶体管，设置于上述半导体基板的第一主面侧，在与上述第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有第一高度；至少一个以上的第二双极晶体管，设置于上述半导体基板的上述第一主面侧，在与上述第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有比上述第一高度高的第二高度；以及第一凸块，遍布多个上述第一双极晶体管和至少一个以上的上述第二双极晶体管而配置。

发明效果

根据本发明的半导体装置，在安装到外部基板时，能够抑制电连接不良的产生。

附图说明

图1是第一实施方式所涉及的半导体装置的俯视图。

图2是沿着图1的II－II’线的剖视图。

图3是第一双极晶体管的剖视图。

图4是第二双极晶体管的剖视图。

图5是第一晶体管组的等效电路图。

图6是第二晶体管组的等效电路图。

图7是用于对第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法进行说明的说明图。

图8是第一实施方式的第一变形例所涉及的半导体装置的俯视图。

图9是沿着图8的IX－IX’线的剖视图。

图10是第一实施方式的第一变形例所涉及的第一晶体管组的等效电路图。

图11是第一实施方式的第二变形例所涉及的半导体装置的俯视图。

图12是第一实施方式的第三变形例所涉及的半导体装置的俯视图。

图13是第一实施方式的第四变形例所涉及的半导体装置的俯视图。

图14是第一实施方式的第五变形例所涉及的半导体装置的俯视图。

图15是第一实施方式的第六变形例所涉及的半导体装置的俯视图。

图16是第二实施方式所涉及的半导体装置的俯视图。

图17是沿着图16的XVII－XVII’线的剖视图。

图18是第二实施方式所涉及的半导体装置的等效电路图。