[发明专利]电子设备和其制造方法

说明书

一种电子设备包含衬底结构、多个柱基底、至少一个发光装置和多个电连接材料。所述衬底主体具有上表面和与所述上表面相对的下表面，并包含非III‑V族材料。所述柱基底邻近于所述衬底结构的所述上表面安置。所述发光装置包含III‑V族材料，并包括多个电极衬垫。所述电连接材料位于所述发光装置的所述电极衬垫与所述柱基底之间。

技术领域

本公开涉及一种电子设备和制造方法，并涉及一种包含至少一个发光装置的电子设备和一种电子设备的制造方法。

背景技术

随着电子行业的快速发展和半导体处理技术的进步，电子设备与越来越多的电子装置集成以实现更好的电气性能和更多功能。相应地，电子设备具备更多输入/输出(input/output，I/O)连接。为了制造具有更多I/O连接的电子设备，电子设备的大小可对应地增大。因此，制造成本可相应地增加。替代地或另外，为了最小化具有更多I/O连接的电子设备的大小，用于承载电子装置的衬底的柱密度(pillar density)可对应地增大。因此，柱的直径可减小。因此，回焊工艺期间出现的金属间化合物(intermetallic compound，IMC)是重要问题，且电子设备的良率会降低。

发明内容

在一些实施例中，一种电子设备包含衬底结构、多个柱基底、至少一个发光装置和多个电连接材料。所述衬底主体具有上表面和与所述上表面相对的下表面，并包含非III-V族材料。所述柱基底邻近于所述衬底结构的所述上表面安置。所述发光装置包含III-V族材料，并包括多个电极衬垫。所述电连接材料位于所述发光装置的所述电极衬垫与所述柱基底之间。

在一些实施例中，一种电子设备包含衬底结构、多个柱基底、至少一个发光装置和多个电连接材料。所述衬底主体具有上表面和与所述上表面相对的下表面，并包含硅材料。所述柱基底邻近于所述衬底结构的所述上表面安置。所述柱基底中的每一个包含邻近于所述衬底结构的所述上表面安置的第一导电层、安置于所述第一导电层上的障壁层和安置于所述障壁层上的第二导电层。所述发光装置包括多个电极衬垫。所述电连接材料连接所述发光装置的所述电极衬垫与所述柱基底。

在一些实施例中，一种用于制造电子设备的方法包含：(a)提供衬底结构，所述衬底结构具有上表面和与所述上表面相对的下表面；(b)形成邻近于所述衬底结构的所述上表面的多个柱结构，其中所述柱结构中的每一个包含柱基底和焊接材料，所述柱基底包含邻近于所述衬底结构的所述上表面安置的第一导电层、安置于所述第一导电层上的障壁层和安置于所述障壁层上的第二导电层，且所述焊接材料安置于所述第二导电层上；(c)提供包含多个电极衬垫的至少一个电子装置；(d)将所述至少一个电子装置附接到所述衬底结构，其中所述至少一个电子装置的所述电极衬垫与所述柱结构的所述焊接材料接触；以及(e)进行回焊工艺，以使得所述至少一个电子装置的所述电极衬垫与所述柱结构的所述焊接材料接合在一起以形成多个电连接材料。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式易于理解本公开的一些实施例的各方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1说明根据本公开的一些实施例的衬底面板的俯视图。

图2说明根据本公开的一些实施例的衬底结构的放大视图。

图3说明沿着图2的线3-3截取的衬底结构的截面图。

图4说明图3的衬底结构的一部分的放大视图。

图5说明沿着图2的线5-5截取的衬底结构的截面图。

图6说明沿着图2的线6-6截取的衬底结构的截面图。

图7说明根据本公开的一些实施例的衬底结构的截面图。

图8说明根据本公开的一些实施例的衬底结构的截面图。