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[发明专利]半导体封装装置-CN202210166040.8在审
发明人： 张简千琳;康荣瑞;李宝男;孔政渊 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：载体；重布线层，设置在载体上；主动元件、电感元件和芯片，均与重布线层电连接，其中，主动元件和电感元件为相互独立的不同元件；半导体封装装置中的电传输路径在经过电感元件后通过重布线层传递至芯片。该半导体封装装置能够避免主动元件和电感元件之间的良率牵绊，有利于提高半导体封装装置的制造良率。
半导体封装装置

[实用新型]半导体封装结构-CN202220787310.2有效
发明人： 张简千琳;李秋雯;李长祺;张简聿心 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请提供的半导体封装结构，在每个电子元件堆叠后，利用包覆层包覆电子元件，然后进行薄化工艺和整平工艺，从而可以通过减薄各电子元件的厚度以缩减整体结构的厚度。
半导体封装结构

[发明专利]半导体封装件及其形成方法-CN202110672893.4在审
发明人：李秋雯;张简千琳;李长祺 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：提供中介层，中介层上设置有复数个电子元件；在中介层的上表面上进行第一次模制，以形成包覆复数个电子元件的第一模制化合物；在中介层的下表面上设置复数个第一焊球；在中介层的下表面上进行第二次模制，以形成与中介层的下表面接触的第二模制化合物。本发明的目的在于提供一种半导体封装件及其形成方法，以优化半导体封装件的性能。
半导体封装及其形成方法

[发明专利]半导体装置封装和其制造方法-CN202110191249.5在审
发明人： 张简千琳;李秋雯;胡逸群;李长祺 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体设备封装包含多个半导体芯片和中介层结构。所述中介层结构具有用于容纳所述多个半导体芯片的多个分层。所述中介层结构包含连接到所述多个半导体芯片的衬垫的至少一个导电通孔。
半导体装置封装制造方法

[发明专利]半导体设备封装和其制造方法-CN202010675280.1在审
发明人： 张简千琳;李秋雯;涂宏荣;李长祺;高金利 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体设备封装。所述半导体设备封装包含第一管芯、第二管芯和热耗散元件。所述第一管芯具有第一表面。所述第二管芯安置在所述第一表面上。所述热耗散元件安置在所述第一表面上。所述热耗散元件包含第一部分和第二部分，所述第一部分在基本上平行于所述第一表面的第一方向上延伸并且被所述第二管芯部分覆盖，所述第二部分在基本上垂直于所述第一表面的第二方向上延伸以邻近所述第二管芯的边缘。
半导体设备封装制造方法

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN201810009877.5有效
发明人： 张简千琳;高金利;王仕宇;李长祺 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体封装装置包含第一互连结构、非硅中介层及第一裸片。所述第一互连结构具有第一间距。所述非硅中介层环绕所述第一互连结构。所述非硅中介层包含具有第二间距的第二互连结构。所述第二间距大于所述第一间距。所述第一裸片在所述第一互连结构上方并且电连接到所述第一互连结构。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN201710256395.5有效
发明人： 张简千琳;高金利;李长祺;洪志斌 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：根据本发明的一或多个实施例，半导体封装包括重新分布层、导电焊盘、介电层、硅层及导电触点。重新分布层具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。导电焊盘位于重新分布层的第一表面上。介电层位于重新分布层的第一表面上以覆盖导电焊盘的第一部分并暴露导电焊盘的第二部分。硅层位于介电层上。硅层具有凹槽以暴露导电焊盘的第二部分。导电触点放置于硅层上并延伸进入硅层的凹槽内。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]电子设备和其制造方法-CN201910486301.2在审
发明人：刘明德;张简千琳;李长祺 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种电子设备包含衬底结构、多个柱基底、至少一个发光装置和多个电连接材料。所述衬底主体具有上表面和与所述上表面相对的下表面，并包含非III‑V族材料。所述柱基底邻近于所述衬底结构的所述上表面安置。所述发光装置包含III‑V族材料，并包括多个电极衬垫。所述电连接材料位于所述发光装置的所述电极衬垫与所述柱基底之间。
发光装置上表面电连接材料衬底结构电极衬垫衬底主体电子设备下表面邻近安置

[发明专利]半导体装置封装和其制造方法-CN201710123452.2有效
发明人： 张简千琳;李长祺;高金利;陈道隆;郑大千 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本揭露提供半导体装置封装，包含一封装衬底、一第一电子装置、一第二电子装置及一第一模封层。所述封装衬底包含一第一表面、相对于所述第一表面的一第二表面以及一边缘。所述第一电子装置位于所述封装衬底上方且通过所述第一表面电连接至所述封装衬底。所述第二电子装置位于所述第一电子装置上方且电连接至所述第一电子装置。所述第一模封层位于所述封装衬底上方，且所述第一模封层包覆所述第一表面之一部分及所述封装衬底之边缘。
半导体装置封装制造方法

[发明专利]发光二极管芯片封装结构及其制造方法-CN201410434139.7有效
发明人：张忠民;张简千琳;吴雅婷 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种发光二极管芯片封装结构，包括一基板，设于基板上的若干LED芯片，以及罩设所述LED芯片的封装层，其中，所述LED芯片通过导线与所述基板电性连接；所述封装层包括至少两层的封装材料，依次为第一封装层、第二封装层，第一封装层平铺于基板上并完全覆盖LED芯片及导线，第二封装层覆盖在第一封装层上，形成第二封装层所用的胶体的流动性小于形成第一封装层所用的胶体的流动性。本发明还提供上述封装结构的制造方法。相比于现有技术，本发明采用胶体在胶体平面上的流动性较差与胶体本身的内聚力来成型封装体的封装层。利用此方式得到的封装体可以得到高度比较高的封装体，从而使封装体具有比较好的光学效率。
发光二极管芯片封装结构及其制造方法

[发明专利]发光二极管-CN201310394791.6有效
发明人：张忠民;张简千琳;吴雅婷;杨政华 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括具有电路结构的基板、至少一个发光二极管芯片和封装材料，发光二极管芯片设置于基板之上且与基板的电路结构电连接，封装材料设置在所述基板上并包覆发光二极管芯片。所述基板安装有发光二极管芯片的一面具有若干凹槽，凹槽设置于基板上未安装发光二极管芯片的区域，凹槽表面具有反光部。本发明所提供的发光二极管，在基板上设置有凹槽，由于凹槽的斜面与法线形成一夹角以改变“经过封装材料表面全反射后入射到凹槽斜面的光线”经由凹槽斜面的反光部的反射作用后的出射角度，从而使得此部分光线能从封装材料表面折射到封装材料外部，最终提高了整个发光二极管的光输出效率。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN201310396038.0有效
发明人：张忠民;张简千琳;吴雅婷;杨政华 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括具有电路结构的基板、至少一个发光二极管芯片和封装材料，发光二极管芯片设置于基板之上且与基板的电路结构电连接，封装材料设置在所述基板上并包覆发光二极管芯片。所述封装材料的表面包含至少一向基板凹陷的凹槽，所述凹槽的截面呈“V”形或梯形，凹槽的斜面的截面的轮廓形成“V”形或梯形的斜边。本发明所提供的发光二极管，利用在发光二极管芯片周围的封装材料上形成凹槽以减少全反射现象的发生，从而提高了整个发光二极管的光输出效率。
发光二极管

[发明专利]发光二极管照明装置-CN201310317794.X在审
发明人：张忠民;张简千琳;胡雪凤;吴雅婷;杨政华 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： F21V23/06 文献下载
摘要：一种发光二极管照明装置，包括封装体及与所述封装体连接的正负极切换开关，所述封装体包括并联设置的第一灯串及第二灯串，所述第一灯串与第二灯串的电流方向相反，并且第一灯串的亮度大于第二灯串的亮度，通过正负切换开关不同的触点与电源的导通连接，从而实现第一灯串与第二灯串的导通或关闭，从而实现发光二极管照明装置亮度的调节。与现有技术相比，本发明中通过正负切换开关不同的触点与电源的导通连接，从而实现第一灯串与第二灯串的导通或关闭，从而便捷的实现发光二极管照明装置亮度的调节。
发光二极管照明装置

[发明专利]照明用发光二极管封装体的制造方法-CN201310139878.9无效
发明人：张忠民;张简千琳;胡雪凤;吴雅婷;杨政华 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种照明用发光二极管模组的制造方法，包括如下步骤：提供背光用的发光二极管封装体；提供红光光源及绿光光源，并使所述红光光源与绿光光源发出的光与所述背光用的发光二极管封装体发出的光线进行混合，从而得到演色性提高的照明用发光二极管封装体；其中所述红光光源在CIE1931色坐标的X轴方向上的坐标值大于0.5，在Y轴方向上的坐标值大于0.2。本发明中，因红光光源的添加，并且红光光源在CIE1931色坐标上的X轴方向上的坐标值大于0.5，在Y轴方向上的坐标值大于0.2，所以照明用发光二极管封装体的演色性能相较背光用发光二极管封装得以提升。
照明发光二极管封装制造方法

[发明专利]发光二极管及其混光方法-CN201210569000.4在审
发明人：张忠民;张简千琳;胡雪凤;孙正文;吴雅婷 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括蓝绿光光源以及橘红光光源，工作时，蓝绿光光源发出蓝绿光，橘红光光源发出橘红光，蓝绿光光源发出的蓝绿光与橘红光光源发出的橘红光混合而得到白光。由于本发明的发光二极管采用蓝绿光光源取代蓝光光源，可避免蓝光对人眼视网膜造成伤害，尤其是波长为441nm的蓝光，并且由蓝绿光与橘红光混合后得到的白光具有更好的演色性。本发明还提供一种发光二极管混光方法。
发光二极管及其方法

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