[发明专利]电子设备和其制造方法在审
申请号: | 201910486301.2 | 申请日: | 2019-06-05 |
公开(公告)号: | CN110571322A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 刘明德;张简千琳;李长祺 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L25/16 |
代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光装置 上表面 电连接材料 衬底结构 电极衬垫 衬底主体 电子设备 下表面 邻近 安置 | ||
1.一种电子设备,其包括:
衬底结构,其具有上表面和与所述上表面相对的下表面,并包含非III-V族材料;
多个柱基底,其邻近于所述衬底结构的所述上表面安置;
至少一个发光装置,其包含III-V族材料,其中所述发光装置包括多个电极衬垫;以及
多个电连接材料,其位于所述发光装置的所述电极衬垫与所述柱基底之间。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其中通过沉积形成所述柱基底。
3.根据权利要求2所述的电子设备,其中通过镀敷形成所述柱基底。
4.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述柱基底中的每一个包含邻近于所述衬底结构的所述上表面安置的第一导电层、安置于所述第一导电层上的障壁层和安置于所述障壁层上的第二导电层;所述电连接材料位于所述发光装置的所述电极衬垫与所述柱基底的所述第二导电层之间。
5.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述发光装置包含装置主体和所述电极衬垫,所述装置主体包含所述III-V族材料,且所述电极衬垫与所述装置主体接触。
6.根据权利要求5所述的电子设备,其中所述电极衬垫接合到所述装置主体。
7.根据权利要求6所述的电子设备,其中所述电极衬垫通过焊料接合到所述装置主体。
8.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述电连接材料由可流动导电材料形成。
9.根据权利要求8所述的电子设备,其中所述可流动导电材料包含焊接材料。
10.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述衬底结构包括:
衬底主体,其具有上表面和与所述上表面相对的下表面,并包含所述非III-V族材料;
多个导电通孔,其延伸穿过所述衬底主体;
顶部电路层,其邻近于所述衬底主体的所述上表面安置,并包含多个顶部衬垫,其中所述柱基底安置于所述顶部衬垫上;以及
底部电路层,其邻近于所述衬底主体的所述下表面安置,并包含多个底部衬垫,其中所述导电通孔电连接到所述顶部衬垫和所述底部衬垫。
11.根据权利要求10所述的电子设备,其中所述顶部衬垫包含多个第一顶部衬垫和多个第二顶部衬垫,所述第一顶部衬垫中的每一个电连接到互补型金属氧化物半导体控制器,且所述第二顶部衬垫彼此电连接。
12.根据权利要求10所述的电子设备,其中所述衬底主体包含以阵列布置的多个衬底单元区域,所述顶部衬垫包含多个第一顶部衬垫和多个第二顶部衬垫,且至少一个第一顶部衬垫和至少一个第二顶部衬垫安置于一个衬底单元区域中。
13.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述衬底结构进一步包括至少一个互补型金属氧化物半导体控制器,且所述柱基底电连接到所述互补型金属氧化物半导体控制器。
14.一种电子设备,其包括:
衬底结构,其具有上表面和与所述上表面相对的下表面,并包含硅材料;
多个柱基底,其邻近于所述衬底结构的所述上表面安置,其中所述柱基底中的每一个包含邻近于所述衬底结构的所述上表面安置的第一导电层、安置于所述第一导电层上的障壁层和安置于所述障壁层上的第二导电层;
至少一个发光装置,其包括多个电极衬垫;以及
多个电连接材料,其连接所述发光装置的所述电极衬垫与所述柱基底。
15.根据权利要求14所述的电子设备,其中所述电连接材料中的每一个是焊接材料与所述发光装置的所述电极衬垫的共熔物。
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