[发明专利]一种多晶硅薄膜的制备方法在审

申请号：	201910464511.1	申请日：	2019-05-30
公开（公告）号：	CN110164756A	公开（公告）日：	2019-08-23
发明（设计）人：	张凌越;姜波;张俊利	申请（专利权）人：	上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	屈蘅
地址：	201203 上海市浦东***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	多晶硅薄膜衬底二氧化硅薄膜半导体制备清洗剂衬底表面碱性溶液晶舟立柱均匀性炉管沉积清洗
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【说明书】：

本发明公开了一种多晶硅薄膜的制备方法，包括：提供至少一半导体衬底，半导体衬底上形成二氧化硅薄膜，采用含有碱性溶液的清洗剂对半导体衬底和衬底表面的二氧化硅薄膜进行清洗，以及在半导体衬底上的二氧化硅薄膜上形成多晶硅薄膜。本发明能够实现消除炉管晶舟立柱对多晶硅薄膜沉积的影响的目的，以及具有提高多晶硅薄膜的均匀性的优点。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种多晶硅薄膜的制备方法。

背景技术

多晶硅是半导体器件及其制造中的重要材料，多晶硅薄膜是半导体器件中的重要结构。目前，主要是采用垂直管式炉以硅烷(SiH₄)为反应气体进行多晶硅薄膜的制备。

参考图1所示，垂直管式炉设置有1个含多个放置晶片槽的晶舟10，晶舟10用于放置100或150片需要沉积多晶硅薄膜的晶片20，晶舟由3或者4根立柱和立柱上对应多个放置晶片的槽40组成，多个所述晶舟立柱30周向分布在所述晶舟10上，所述晶片20的边缘与所述晶舟立柱上放置晶片槽40相接触。

然而，研究发现，如图2所示，位于靠近晶舟立柱30位置处在所述晶片20上形成的多晶硅薄膜厚度相对于晶片20上其他位置上的多晶硅薄膜厚度偏薄，且位于靠近晶舟立柱30位置处在所述晶片20上形成的多晶硅薄膜的晶粒相对于晶片20上其他位置上的多晶硅薄膜晶粒偏大，这会造成晶片上对应位置产品(IC)良率损失。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多晶硅薄膜的制备方法，以消除晶舟立柱对多晶硅薄膜沉积的影响和提高多晶硅薄膜的均匀性。

为了实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种多晶硅薄膜的制备方法，包括：提供至少一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有二氧化硅薄膜，采用含有碱性溶液的清洗剂对所述半导体衬底和所述二氧化硅薄膜进行清洗，以及在所述半导体衬底上的二氧化硅薄膜上形成多晶硅薄膜。

进一步的，所述采用含有碱性溶液的清洗剂对所述半导体衬底和所述二氧化硅薄膜进行清洗，具体为，采用SC-1清洗液进行单独清洗。

优选地，所述采用含有碱性溶液的清洗剂对所述半导体衬底和所述二氧化硅薄膜进行清洗，具体为，采用SPM清洗液和SC-1清洗液进行分步清洗。