[发明专利]半导体装置的形成方法在审

专利信息
申请号: 201910405924.2 申请日: 2019-05-15
公开(公告)号: CN110783195A 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 王俊杰;白岳青;杨怀德 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/088
代理公司: 72003 隆天知识产权代理有限公司 代理人: 聂慧荃;郑特强
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体层 盖层 鳍状物 蚀刻 半导体装置 前驱物 凹陷 浅沟槽隔离区 原生氧化物 材料沉积 露出表面 预清洁 井上 填入 移除 沉积 升华
【说明书】:

本公开涉及一种半导体装置的形成方法,且涉及包含盖层的半导体装置与其形成方法。在一实施例中,方法包括外延成长第一半导体层于n型井上;蚀刻第一半导体层以形成第一凹陷;外延成长第二半导体层以填入第一凹陷;蚀刻第二半导体层、第一半导体层与n型井以形成第一鳍状物;形成浅沟槽隔离区以与第一鳍状物相邻;以及形成盖层于第一鳍状物上,且盖层接触第二半导体层,其中形成盖层的步骤包括:进行预清洁工艺以自第二半导体层的露出表面移除原生氧化物;进行升华工艺以产生第一前驱物;以及进行沉积工艺,其中来自第一前驱物的材料沉积于第二半导体层上以形成盖层。

技术领域

发明实施例涉及半导体装置与其形成方法,特别涉及半导体鳍状物的盖层与其形成方法。

背景技术

半导体装置已用于多种电子应用,比如个人电脑、手机、数码相机与其他电子设备。半导体的制作方法为依序沉积绝缘或介电层、导电层与半导体层的材料于半导体基板上,并采用微影图案化多种材料层以形成电路构件与单元于半导体基板上。

半导体产业持续缩小最小结构尺寸,以持续改善多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容或类似物)的集成密度,以整合更多构件至给定面积中。然而随着最小结构尺寸缩小,需解决额外问题。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法,包括:外延成长第一半导体层于n型井上;蚀刻第一半导体层以形成第一凹陷;外延成长第二半导体层以填入第一凹陷;蚀刻第二半导体层、第一半导体层与n型井以形成第一鳍状物;形成浅沟槽隔离区以与第一鳍状物相邻;以及形成盖层于第一鳍状物上,且盖层接触第二半导体层,其中形成盖层的步骤包括:进行预清洁工艺以自第二半导体层的露出表面移除原生氧化物;进行升华工艺以产生第一前驱物;以及进行沉积工艺,其中来自第一前驱物的材料沉积于第二半导体层上以形成盖层。

本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法,包括:形成n型井与p型井于基板上;形成第一半导体层于n型井与p型井上,且第一半导体层包括第一半导体材料;蚀刻第一半导体层以形成第一凹陷于n型井上;形成第二半导体层于第一凹陷中,且第二半导体层包括第二半导体材料;蚀刻第一半导体层与第二半导体层以形成第一鳍状物于n型井上,并形成第二鳍状物于p型井上,第一鳍状物包括第二半导体层,且第二鳍状物包括第一半导体层;以及形成盖层于第一鳍状物与第二鳍状物上,且盖层包括第三半导体材料,其中形成盖层的步骤包括:自第二半导体层移除原生氧化物;升华样品以产生前驱物气体;以及自前驱物气体沉积盖层于第一鳍状物与第二鳍状物上。

本发明一实施例提供的半导体装置,包括:第一半导体鳍状物,包括:n型井;第一半导体层,位于n型井上;第二半导体层,位于第一半导体层上;盖层,位于第二半导体层的上表面与侧壁上并接触第二半导体层的上表面与侧壁,盖层包括多晶材料,第一半导体层与第二半导体层包括单晶材料;以及混合层,位于第二半导体层与盖层之间,混合层包括第二半导体层的材料与盖层的材料,且混合层的厚度介于至之间。

附图说明

图1是在一些实施例中,鳍状场效晶体管的三维图。

图2是在一些实施例中,基板上的n型井与p型井的剖视图。

图3是在一些实施例中,形成第一外延层、遮罩层与图案化光刻胶的剖视图。

图4是在一些实施例中,形成第一开口的剖视图。

图5是在一些实施例中,形成第二外延层的剖视图。

图6是在一些实施例中,平坦化第一外延层与第二外延层的剖视图。

图7是在一些实施例中,形成第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物的剖视图。

图8是在一些实施例中,形成绝缘材料的剖视图。

图9是在一些实施例中,平坦化绝缘材料、第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物的剖视图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910405924.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top