[发明专利]制备半导体晶片的系统和方法

说明书

本发明公开了一种制备半导体晶片的系统和方法，所述系统包括：施蜡装置，所述施蜡装置上设有可移动地陶瓷盘，且用于向所述陶瓷盘上供给抛光蜡；第一加热装置，所述第一加热装置与所述施蜡装置相连，且用于将所述陶瓷盘可旋转地置于所述第一加热装置上且加热熔化所述陶瓷盘上的抛光蜡；贴合装置，所述贴合装置与所述第一加热装置相连，且用于将晶片贴合在所述陶瓷盘上具有抛光蜡的一侧；第二加热装置，所述第二加热装置可移动地设在所述贴合装置上方，用于对贴合硅片的陶瓷盘进行加热以降低应力；抛光装置，所述抛光装置与所述贴合装置相连，用于对贴合在陶瓷盘上的晶片进行抛光。采用该系统可以保证抛光工序的顺行，从而提高半导体晶片产量。

技术领域

本发明属于单晶硅领域，具体涉及一种制备半导体晶片的系统和方法。

背景技术

半导体晶片的制备工艺包括长晶、切割、抛光、清洗等工序，其中抛光工序是晶片表面加工的关键技术之一。现有的抛光工序依次包括施蜡、加热熔化、贴合、再加热和抛光步骤，然而由于抛光工序空间紧凑，抛光工序中只采用一台加热装置，即加热熔化和再加热步骤均是在同一台加热装置上进行的，也就是说，再加热步骤需采用抓手将贴合晶片返回至加热熔化步骤的加热装置，不仅打乱了原有抛光工序，而且导致产量低下。此外，在贴合步骤中，由于晶片受力不均匀，表面存在着压力差，会造成抛光后晶片的平坦度降低，严重地影响了后续的加工制程。

因此，现有抛光工序的技术有待进一步改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种制备半导体晶片的系统和方法，采用该系统可以保证抛光工序的顺行，从而提高半导体晶片产量，同时第二加热装置消除残余压力使得晶片受力均匀，大大地提高了晶片的平坦度。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种制备半导体晶片的系统。根据本发明的实施例，所述系统包括：

施蜡装置，所述施蜡装置上设有可移动地陶瓷盘，且用于向所述陶瓷盘上供给抛光蜡；

第一加热装置，所述第一加热装置与所述施蜡装置相连，且用于将所述陶瓷盘可旋转地置于所述第一加热装置上且加热熔化所述陶瓷盘上的抛光蜡；

贴合装置，所述贴合装置与所述第一加热装置相连，且用于将晶片贴合在所述陶瓷盘上具有抛光蜡的一侧；

第二加热装置，所述第二加热装置可移动地设在所述贴合装置上方，用于对贴合晶片的陶瓷盘进行加热以降低应力；

抛光装置，所述抛光装置与所述贴合装置相连，用于对贴合在陶瓷盘上的晶片进行抛光。

根据本发明实施例的制备半导体晶片的系统通过在贴合装置上方设置第二加热装置，即在该工序中采用两个加热装置，使得贴合装置上贴合完成的晶片直接进行再加热，从而不需要将其返回加热熔化工序的加热装置，保证了整个工序流程的顺行，提高产量，同时由于第二加热装置可移动地设在贴合装置上方，其并不需额外增大整个工序的空间。

另外，根据本发明上述实施例的制备半导体晶片的系统还可以具有如下附加的技术特征：

在本发明的一些实施例中，所述第二加热装置与所述贴合装置的距离为1～3cm。由此，可以保证贴合晶片受热均匀。

在本发明的一些实施例中，所述第二加热装置为微波加热装置或灯管加热装置。由此，可以保证贴合晶片受热均匀。

在本发明的一些实施例中，所述微波加热装置为磁控管。由此，可以保证贴合晶片受热均匀。

在本发明的第二个方面，本发明提出了一种采用上述系统制备半导体晶片的方法。根据本发明的实施例，所述方法包括：

(1)采用所述施蜡装置向所述陶瓷盘上供给抛光蜡；

(2)采用所述第一加热装置加热熔化所述陶瓷盘上的抛光蜡；