[发明专利]制备半导体晶片的系统和方法

权利要求书

1.一种采用制备半导体晶片的系统实施制备半导体晶片的方法，其特征在于，所述制备半导体晶片的系统包括：

施蜡装置，所述施蜡装置上设有可移动地陶瓷盘，且用于向所述陶瓷盘上供给抛光蜡；

第一加热装置，所述第一加热装置与所述施蜡装置相连，且用于将所述陶瓷盘可旋转地置于所述第一加热装置上且加热熔化所述陶瓷盘上的抛光蜡；

贴合装置，所述贴合装置与所述第一加热装置相连，且用于将晶片贴合在所述陶瓷盘上具有抛光蜡的一侧；

第二加热装置，所述第二加热装置可移动地设在所述贴合装置上方，用于对贴合晶片的陶瓷盘进行加热以降低应力；

抛光装置，所述抛光装置与所述贴合装置相连，用于对贴合在陶瓷盘上的晶片进行抛光，

其中，所述第二加热装置与所述贴合装置的距离为1～3cm，所述第二加热装置的温度为500～600摄氏度，时间为20～30秒，

所述方法包括：

(1)采用所述施蜡装置向所述陶瓷盘上供给抛光蜡；

(2)采用所述第一加热装置加热熔化所述陶瓷盘上的抛光蜡；

(3)采用所述贴合装置将晶片贴合在所述陶瓷盘上具有抛光蜡的一侧；

(4)采用所述第二加热装置对贴合晶片的陶瓷盘进行加热；

(5)采用抛光装置对步骤(4)的晶片进行抛光，

其中，在步骤(1)中，基于每寸所述陶瓷盘上，所述抛光蜡的施加量为3～15毫升。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二加热装置为微波加热装置或灯管加热装置。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述微波加热装置为磁控管。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述陶瓷盘的转速为500～800rpm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述陶瓷盘上熔化后抛光蜡层的厚度为1～200微米。