[发明专利]离子注入能量的监测方法和半导体结构

权利要求书

1.一种离子注入能量的监测方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成第一阻挡层；

在所述第一阻挡层上形成半导体材料层；

在所述半导体材料层上形成第二阻挡层；

在一待监测注入能量下，在第二阻挡层、半导体材料层和第一阻挡层中注入杂质离子；

进行退火以激活杂质离子；

进行退火后，测量所述半导体材料层的电阻值，判断测量的电阻值与设定值是否存在差异，若存在差异，则注入的能量存在漂移。

2.如权利要求1所述的离子注入能量的监测方法，其特征在于，所述半导体材料层的材料为硅或锗，所述第一阻挡层的材料为氧化硅或氮化硅，所述第二阻挡层的材料为氧化硅、氮化硅或光刻胶。

3.如权利要求1所述的离子注入能量的监测方法，其特征在于，所述第一阻挡层、半导体材料层和第二阻挡层的厚度的需满足：设定一目标注入能量，所述目标注入能量为待监测注入能量不存在偏移时的注入能量，进行注入时，待监测注入能量小于目标注入能量的杂质离子被保留到第二阻挡层中，待监测注入能量等于目标注入能量的杂质离子被保留到半导体材料层中，待监测注入能量大于目标注入能量的杂质离子被保留到第一阻挡层和/或半导体衬底中。

4.如权利要求3所述的离子注入能量的监测方法，其特征在于，所述目标注入能量不同时，所述第一阻挡层、半导体材料层和第二阻挡层的厚度不同。

5.如权利要求3所述的离子注入能量的监测方法，其特征在于，当待监测注入能量偏移目标注入能量时，注入到半导体材料层中的杂质离子减少，更多的杂质离子被注入到第一阻挡层或第二阻挡层中，使得半导体材料层的测量的电阻值与设定值存在差异。

6.如权利要求1所述的离子注入能量的监测方法，其特征在于，在去除第二阻挡层后，进行退火以激活杂质离子。

7.如权利要求1所述的离子注入能量的监测方法，其特征在于，所述注入的杂质离子包括硼离子、磷离子、砷离子、铟离子或锑离子中的一种或几种。

8.如权利要求1所述的离子注入能量的监测方法，其特征在于，测量所述半导体材料层的电阻值采用4探针电阻测量法。

9.如权利要求1所述的离子注入能量的监测方法，其特征在于，所述设定值为待监测注入能量不存在漂移时，进行离子注入后，测量半导体材料层获得的电阻值，所述待监测注入能量为进行离子注入时离子注入设备中设定的某一注入能量。

10.一种用于权利要求1～9中离子注入能量的监测的半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的第一阻挡层；

位于所述第一阻挡层上的半导体材料层；

位于所述半导体材料层上的第二阻挡层。