[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，能够不使器件的品质降低而对在玻璃基板的上表面上形成有包含通过蒸镀等形成的金属图案在内的多个器件的晶片进行切削。本发明的晶片的加工方法至少包含如下的工序：片压接工序，将聚烯烃系的片或聚酯系的片敷设在晶片的正面上并进行加热，将该片热压接在晶片的正面上；晶片支承工序，将晶片的背面粘贴在划片带上，并且将具有对晶片进行收纳的开口的环状框架粘贴在划片带上；分割工序，一边提供切削水一边使在外周具有环状的切刃的切削刀具旋转，沿着晶片的分割预定线与该片一起对晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件；以及片剥离工序，将该片从器件的正面剥离。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，对在玻璃基板的上表面上配设有金属图案的晶片进行切削而分割成各个器件。

背景技术

由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片通过切割装置分割成各个器件，并被用于移动电话、个人计算机等电子设备。

切割装置包含：保持单元，其对晶片进行保持；切削单元，其一边对该保持单元所保持的晶片提供切削水，一边利用旋转的切削刀具对分割预定线进行切削；以及进给单元，其将该保持单元和该切削单元进行加工进给，切割装置能够高精度地对晶片进行切削(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开平07-045556号公报

已经尝试了通过专利文献1所记载的以往的切割装置对在玻璃基板的上表面上由分割预定线划分而形成有包含通过蒸镀等形成的金属图案在内的多个器件的晶片进行切削。但是，存在如下的问题：在专利文献1所记载的以往的切割装置中，朝向将切削刀具相对于晶片进行切入的位置强势地喷射切削水而实施切削，因此蒸镀在玻璃基板上的金属图案会剥离，或者会使金属图案的一部分损伤。

另外，为了应对上述问题，也考虑了不提供切削水，例如实施一边提供冷却空气一边进行切削的所谓干式切割。但是，已判定当想要不对玻璃基板的切削部位提供切削水而进行切削时，无法得到提供切削水时所能够得到的化学机械效应(通过提供水而使构成玻璃的氧和硅的结合变弱的效应)，切削槽的两侧破损而使器件的品质显著降低。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供晶片的加工方法，能够不降低器件的品质而对在玻璃基板的上表面上形成有包含通过蒸镀等形成的金属图案在内的多个器件的晶片进行切削。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供晶片的加工方法，将在玻璃基板的上表面上由多条分割预定线划分出配设有金属图案的多个器件的晶片分割成各个器件，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：片压接工序，将聚烯烃系的片或聚酯系的片敷设在晶片的正面上并进行加热，将该片热压接在晶片的正面上；晶片支承工序，将晶片的背面粘贴在划片带上，并且将具有对晶片进行收纳的开口的环状框架粘贴在该划片带上；分割工序，一边提供切削水一边使在外周具有环状的切刃的切削刀具旋转，沿着晶片的分割预定线与该片一起对晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件；以及片剥离工序，将该片从器件的正面剥离。

优选在该晶片支承工序中，配设环状部件而形成用于以水覆盖晶片的正面的池，所述环状部件成为围绕着晶片的环状的侧壁，在该分割工序中，在该池中注满切削水而使晶片浸没。

在选择该聚烯烃系的片的情况下，可以选自聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意片。优选在该片压接工序中，在选择了该聚乙烯片的情况下加热温度为120℃～140℃，在选择了该聚丙烯片的情况下加热温度为160℃～180℃，该聚苯乙烯片的加热温度为220℃～240℃。另外，在选择该聚酯系的片的情况下，可以选自聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片中的任意片。优选在该片压接工序中，在选择了该聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下加热温度为250℃～270℃，在选择了该聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下加热温度为160℃～180℃。