[发明专利]IPM的封装方法以及IPM封装中的键合方法

权利要求书

1.一种IPM封装中的键合方法，其特征在于，包括：

提供引线框架以及电路板，所述引线框架包括基岛以及若干外引脚；所述基岛承载所述电路板；所述电路板包括绝缘基板、位于所述绝缘基板内的电连接线以及若干个与对应电连接线电连接的第一焊盘；所述第一焊盘通过所述电连接线与对应外引脚电连接在一起；

提供IGBT芯片，所述IGBT芯片具有若干第二焊盘；将所述IGBT芯片固定于所述绝缘基板，使用第一键合工艺将第一引线键合于第二焊盘以及对应的第一焊盘；

提供驱动芯片，所述驱动芯片用于驱动IGBT芯片，所述驱动芯片具有若干第三焊盘；将所述驱动芯片固定于所述绝缘基板，使用第二键合工艺将第二引线键合于第三焊盘以及对应的第一焊盘；

所述第一引线的直径大于第二引线的直径，所述第一键合工艺与第二键合工艺为冷超声波键合，所述第二键合工艺中的超声波的频率高于所述第一键合工艺中的超声波的频率；

所述第一键合工艺中使用第一劈刀，所述第一劈刀具有V形刀槽，所述第一引线位于所述V形刀槽内；

所述第二键合工艺中使用第二劈刀，所述第二劈刀具有导线孔与U形刀槽，所述第二引线通过所述导线孔穿出后容纳在所述U形刀槽内；

先进行所述第一键合工艺，后进行所述第二键合工艺。

2.根据权利要求1所述的IPM封装中的键合方法，其特征在于，所述第一引线与第二引线的材质为铝。

3.根据权利要求2所述的IPM封装中的键合方法，其特征在于，所述第一铝线的直径范围为100μm～500μm，所述第一键合工艺的超声波频率的范围为15KHZ～60KHZ；和/或所述第二铝线的直径范围为17.5μm～60μm，所述第二键合工艺的超声波频率的范围为80KHZ～150KHZ。

4.根据权利要求1所述的IPM封装中的键合方法，其特征在于，所述第一键合工艺使用导线器将所述第一引线保持在所述第一劈刀的V形刀槽内；所述第一引线键合完成后，使用切刀完成所述第一引线的切断。

5.根据权利要求1所述的IPM封装中的键合方法，其特征在于，所述第二引线键合完成后，使用活动线夹扯断所述第二引线。

6.根据权利要求1所述的IPM封装中的键合方法，其特征在于，所述外引脚的材质为铜，所述外引脚上覆盖有锡；和/或所述基岛的材质为铝或铝合金。

7.一种IPM的封装方法，其特征在于，将权利要求1至6任一项键合后的半导体结构封装成型。