[发明专利]一种存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底基板，所述衬底基板包括多个有源区和多个浅槽隔离区，所述有源区和所述浅槽隔离区间隔设置；

填充所述浅槽隔离区的隔离层，所述隔离层延伸至所述有源区中靠近所述浅槽隔离区一侧的部分上表面；

位于所述有源区内的凹槽结构，所述凹槽结构部分贯穿所述有源区对应的所述衬底基板；

位于所述凹槽结构内壁表面并沿所述凹槽结构内壁延伸至所述隔离层部分上表面的浮栅，相邻的所述有源区对应的所述浮栅之间断开连接；

位于所述浮栅上表面和所述隔离层上表面的介质层；

位于所述介质层上的控制栅。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述凹槽结构的开口深度为D1，其中，50nm≤D1≤100nm。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，沿所述有源区指向所述浅槽隔离区的方向，所述凹槽结构的开口宽度为D2，其中，30nm≤D2≤80nm。

4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述浮栅的厚度为D3，其中，5nm≤D3≤20nm。

5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，沿所述有源区指向所述浅槽隔离区的方向，相邻两个所述有源区所对应的浮栅之间的距离为L1，其中，L1≥10nm。

6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述凹槽结构与所述浮栅之间设置有掺杂层和遂穿氧化层。

7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述隔离层的材料包括氧化硅材料；

所述介质层包括氧化硅、氮化硅和氧化硅层的层叠结构。

8.一种存储器的制备方法，用于制备权利要求1-7任一项所述的存储器，其特征在于，包括：

提供衬底基板并在所述衬底基板上形成多个有源区和多个浅槽隔离区，所述有源区和所述浅槽隔离区间隔设置；

在所述浅槽隔离区填充隔离层，所述隔离层延伸至所述有源区中靠近所述浅槽隔离区一侧的部分上表面；

在所述有源区内制备凹槽结构，所述凹槽结构部分贯穿所述有源区对应的所述衬底基板；

在所述凹槽结构内壁表面以及与所述凹槽结构内壁相邻的所述隔离层部分上表面上制备浮栅，相邻的所述有源区对应的所述浮栅之间断开连接；

在所述浮栅上表面和所述隔离层上表面制备介质层；

在所述介质层上制备控制栅。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成多个有源区和多个浅槽隔离区，包括：

在所述衬底基板上依次制作第一垫层和第二垫层；

刻蚀部分所述衬底基板、所述第一垫层以及所述第二垫层，形成多个浅槽隔离区，未刻蚀部分所述衬底基板、所述第一垫层以及所述第二垫层形成多个有源区；

在所述浅槽隔离区填充隔离层，所述隔离层延伸至所述有源区中靠近所述浅槽隔离区一侧的部分上表面，包括：

刻蚀所述有源区靠近所述浅槽隔离区一侧边缘部分的所述第一垫层和所述第二垫层，以暴露出所述有源区靠近所述浅槽隔离区一侧的边缘；

在所述浅槽隔离区填充隔离层，所述隔离层延伸至所述有源区中靠近所述浅槽隔离区一侧的部分上表面，所述隔离层上表面与所述第二垫层上表面平齐；

在所述有源区内制备凹槽结构，包括：

去除所述有源区的所述第一垫层和所述第二垫层，利用所述隔离层作为掩膜，刻蚀所述有源区对应的所述衬底基板，形成凹槽结构。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述凹槽结构内壁表面以及与所述凹槽结构内壁相邻的所述隔离层部分上表面上制备浮栅，相邻的所述有源区对应的所述浮栅之间断开连接，包括：

利用等离子注入技术在所述凹槽结构的内壁表面制备掺杂层；

在所述掺杂层上制备隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层内壁表面以及所述隔离层上表面上制备整层浮栅；

去除所述浅槽隔离区部分对应的部分所述浮栅。