[发明专利]一种掺镨铌酸锂晶体及其制备方法在审
申请号: | 201910239631.1 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN109763171A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 刘书强;宋小雨 | 申请(专利权)人: | 焦作科尔光电科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B15/00 |
代理公司: | 焦作市科彤知识产权代理事务所(普通合伙) 41133 | 代理人: | 何贯通 |
地址: | 454000 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 铌酸锂晶体 制备 烧结 近化学计量比铌酸锂晶体 退火 高发光效率 触发功率 传统配方 原料称量 制备过程 单畴化 可调谐 摩尔比 碳酸锂 镨离子 烘干 混料 磨抛 提拉 切割 掺杂 生长 | ||
本发明公开了一种掺镨铌酸锂晶体及其制备方法,所述掺镨铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Pr2O3制成;其制备方法为:原料称量后经过烘干、混料后进行烧结;烧结完成后进行提拉生长,最后单畴化、退火,经定向、切割、磨抛工序,得到掺镨为1.3mol%的铌酸锂晶体。本发明的铌酸锂晶体的制备过程中掺杂了镨离子,碳酸锂的使用量提高,由传统配方中Li2CO3与Nb2O5的摩尔比为48.6∶51.4,变成了49.3~49.6∶50.4~50.7;得到掺镨近化学计量比铌酸锂晶体,具有低触发功率,高发光效率且可调谐的特性。
技术领域
本发明涉及非线性光学晶体技术领域,特别是涉及一种掺镨铌酸锂晶体及其制备方法。
背景技术
铌酸锂晶体是一种集压电、铁电、热释电、非线性、电光、光弹、光析变等性能于一体的多功能材料,具有良好的热稳定性和化学稳定性。铌酸锂晶体已经在声表面波(SAW)滤波器、光波导基片、光通讯调制器、光隔离器等方面获得了广泛的实际应用,并在光子海量存储器、光学集成等方面具有广阔的应用前景。但现有技术中的铌酸锂晶体还存在触发功率高,发光效率低的技术问题。
发明内容
本发明的目的就在于克服上述不足,提供一种掺镨铌酸锂晶体及其制备方法。
为达到上述目的,本发明是按照以下技术方案实施的:
一种掺镨铌酸锂晶体,所述掺镨铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Pr2O3制成;其中Li2CO3与Nb2O5的摩尔比为49.3~49.6∶50.4~50.7;Pr2O3的掺杂浓度为1.3mol%。
本发明还包括掺镨铌酸锂晶体的制备方法,包括以下步骤:
S1,按Li2CO3与Nb2O5的摩尔比为49.3~49.6∶50.4~50.7;Pr2O3的掺杂浓度为1.3mol%的配比称取Li2CO3、Nb2O5、Pr2O3的粉料进行烘干,随后进行混料,得到混合料;
S2,将混合料放入坩埚中进行烧结,得到掺镨铌酸锂粉料;
S3,将掺镨铌酸锂粉料用中频感应炉加热,采用提拉法进行晶体生长;
S4,生长后的晶体在1100~1200℃单畴化、退火,经定向、切割、磨抛工序,得掺镨为1.3mol%的铌酸锂晶体。
优选的,提拉速度0.2~1mm/h,转速为10~20rpm,气液温差20~30℃,溶体内温度梯度为1~2℃/mm。
优选的,所述步骤S1的烘干过程在150~200℃下恒温烘干2~3h;混料时间为16~24h。
优选的,所述步骤S2将混合料放入坩埚中,在650~850℃的环境中烧结2~3h,使Li2CO3充分分解,再升温至1000~1200℃烧结2~3h得到掺镨铌酸锂粉料。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于焦作科尔光电科技有限公司,未经焦作科尔光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910239631.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。