[发明专利]一种记忆体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种记忆体结构，其特征在于，包含：

一基板；

一浮栅介电层，位于该基板之上；

一第一浮栅及一第二浮栅，位于该浮栅介电层之上，其中该第一浮栅及该第二浮栅通过一第一凹槽彼此分离，且该第一凹槽具有一第一侧壁；

一第一控制栅极堆叠及一第二控制栅极堆叠，分别位于该第一浮栅及该第二浮栅之上，其中该第一控制栅极堆叠及该第二控制栅极堆叠通过一第二凹槽彼此分离，且该第二凹槽具有一第二侧壁由该第一凹槽的该第一侧壁凹陷；

一选择栅极介电层共形地覆盖该第一凹槽及该第二凹槽；以及

一选择栅极，覆盖该选择栅极介电层，其中该选择栅极具有一底部部分填充于该第一凹槽中，以及一顶部部分填充于该第二凹槽中。

2.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于，该第一浮栅及该第二浮栅分别具有一尖端突出于该第一控制栅极堆叠的一侧壁及该第二控制栅极堆叠的一侧壁，且所述尖端朝向该第一凹槽。

3.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于，该选择栅极的该顶部部分具有一宽度大于该选择栅极的该底部部分的一宽度。

4.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于，该第一控制栅极堆叠具有一宽度小于该第一浮栅的一宽度，且该第二控制栅极堆叠具有一宽度小于该第二浮栅的一宽度。

5.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于，该基板包含多个源极/漏极区域，且该第一浮栅、该第二浮栅及该选择栅极位于两相邻的所述源极/漏极区域之间。

6.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于，该第一控制栅极堆叠包含：

一第一控制栅极介电层，位于该第一浮栅之上；

一第一控制栅极，位于该第一控制栅极介电层之上；

一第一间隔层，位于该第一控制栅极之上；以及

一第一间隙壁，位于该第一浮栅之上，并贴附于该第一控制栅极介电层、该第一控制栅极及该第一间隔层的一共同侧壁，其中该选择栅极介电层覆盖该第一间隙壁。

7.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于，该第二控制栅极堆叠包含：

一第二控制栅极介电层，位于该第二浮栅之上；

一第二控制栅极，位于该第二控制栅极介电层之上；

一第二间隔层，位于该第二控制栅极之上；以及

一第二间隙壁，位于该第二浮栅之上，并贴附于该第二控制栅极介电层、该第二控制栅极及该第二间隔层的一共同侧壁，其中该选择栅极介电层覆盖该第二间隙壁。

8.一种记忆体结构的制造方法，其特征在于，包含：

形成一前驱基板，该前驱基板包含：

一图案化基板，具有多个高地部分及多个沟渠，其中各该沟渠分隔相邻的所述高地部分；

一浮栅介电材料层，位于该图案化基板之上，其中该浮栅介电材料层包含一沟渠介电层填满所述多个沟渠；

一浮栅层，位于该图案化基板的各该高地部分之上；

一控制栅极介电材料层，共形地覆盖该浮栅层及该沟渠介电层；

一控制栅极材料层，位于该控制栅极介电材料层之上；以及

一间隔材料层，位于该控制栅极材料层之上；

蚀刻该间隔材料层、该控制栅极材料层及该控制栅极介电材料层以形成多个堆叠结构位于该浮栅层之上；

形成一间隙材料层共形地覆盖所述多个堆叠结构；

蚀刻该间隙材料层及该浮栅层，以形成一图案化间隙材料层及一图案化浮栅层，其中该图案化间隙材料层位于各该堆叠结构的相对两侧，该图案化浮栅层具有多个第一凹槽暴露该浮栅介电材料层的一部分；

蚀刻该图案化间隙材料层以形成多个间隙壁及多个第二凹槽暴露该图案化浮栅层的一部分；

形成一选择栅极介电层共形地覆盖所述多个第一凹槽及所述多个第二凹槽；

形成多个选择栅极于所述多个第一凹槽及所述多个第二凹槽中；以及

蚀刻所述多个堆叠结构、该图案化浮栅层、及该浮栅介电材料层以形成多个双位元记忆体结构。