[发明专利]接近传感器在审
| 申请号： | 201910149020.8 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN109936357A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | A·凯克斯;P·舒勒;T·赫尔曼 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康表面解决方案股份公司;普费菲孔 |
| 主分类号： | H03K17/955 | 分类号： | H03K17/955 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢江;刘春元 |
| 地址： | 瑞士普*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接近传感器 半导体层 金属外观 装饰面 期望 赋予 | ||
1.用于制造电子接近传感器的方法，包括以下步骤：
提供具有传感器表面的电容式接近传感器，以及
使用半导体层来涂覆所述传感器表面，该半导体层的厚度在10nm-100nm之间，其中，通过真空工艺实现所述涂覆，
其中所述半导体层是硅层或锗层或由硅和锗构成的层，以及
其中所述电子接近传感器具有装饰面，该装饰面具有金属外观。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述真空工艺包括PVD和CVD工艺中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体层是层系统的层组成部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体层是层系统的层组成部分并且所述层系统被结构化为至少包括一个半导体层和一个电介质层的交替层系统。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述半导体层是硅层并且所述电介质层是二氧化硅层。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述半导体层包括锗并且所述电介质层是二氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，由UV亚克力漆组成的底漆首先被施加到表面上。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，由UV亚克力漆组成的顶层被施加。
9.根据权利要求2所述的方法，其中，所述真空工艺包括或是磁控溅射。
10.根据权利要求6所述的方法，其中，交替地形成锗和氧化硅。
11.根据权利要求4所述的方法，其中，所述一个半导体层包括组合的硅和锗，并且所述一个电介质层包括氧化硅。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述装饰面包括整个装饰面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧瑞康表面解决方案股份公司，普费菲孔，未经欧瑞康表面解决方案股份公司，普费菲孔许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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