[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
| 申请号: | 201910115716.9 | 申请日: | 2019-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN109887960B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
| 发明(设计)人: | 侯文军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;G03F7/004 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 牛南辉;刘薇 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板,包括:
基板,其具有用于形成像素的第一区域和位于所述第一区域之间的第二区域;
位于所述基板上的所述第二区域的邻近所述第一区域的部分内的遮光部;以及
位于所述第二区域内的像素限定部,
其中,至少所述遮光部的靠近所述第一区域的侧表面未被所述像素限定部覆盖,
其中,所述第二区域具有中心区域和围绕所述中心区域的周边区域,
所述遮光部仅位于所述周边区域内,
其中,所述像素限定部的材料包括负性光致抗蚀剂,所述遮光部能够吸收具有所述负性光致抗蚀剂的敏感波长的光。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素限定部覆盖所述遮光部的顶表面的至少一部分和所述遮光部的远离所述第一区域的侧表面。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素限定部的沿垂直于所述基板的方向上的尺寸与所述遮光部的沿垂直于所述基板的方向上的尺寸的比率为5:1至15:1。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光部具有0.1-0.5um的沿垂直于所述基板的方向上的尺寸和2-10um的沿平行于所述基板的方向上的尺寸。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述负性光致抗蚀剂为紫外光敏感的光致抗蚀剂,以及
所述遮光部的材料包括吸收紫外光的材料。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述吸收紫外光的材料包括金属氧化物和/或含碳材料。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述金属氧化物包括二氧化钛或氧化铅,以及
所述含碳材料包括碳黑或碳纳米管。
8.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述像素限定部的材料包括聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、氟化聚酰亚胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述基板上且位于所述像素限定部之间的导电层。
10.一种制备阵列基板的方法,包括:
提供基板,所述基板具有用于形成像素的第一区域和位于所述第一区域之间的第二区域;
在所述基板上的所述第二区域的邻近所述第一区域的部分内形成遮光部;以及
在所述第二区域内形成像素限定部,
其中,至少所述遮光部的靠近所述第一区域的侧表面未被所述像素限定部覆盖,
其中,所述第二区域具有中心区域和围绕所述中心区域的周边区域,
所述遮光部仅位于所述周边区域内,
其中,所述像素限定部的材料包括负性光致抗蚀剂,所述遮光部能够吸收具有所述负性光致抗蚀剂的敏感波长的光。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,形成所述遮光部包括:
在所述基板上形成遮光部材料层,所述遮光部材料层的材料包括吸收紫外光的材料;以及
图案化所述遮光部材料层以在所述基板上的所述第二区域的邻近所述第一区域的部分内形成遮光部。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,形成所述像素限定部包括:
在所述基板和所述遮光部上形成像素限定部材料层;以及
曝光并显影所述像素限定部材料层以去除位于所述第一区域内的所述像素限定部材料层的部分以使所述遮光部的靠近所述第一区域的侧表面暴露。
13.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述负性光致抗蚀剂为紫外光敏感的光致抗蚀剂。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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