[发明专利]半导体发光器件及使用其的半导体发光器件封装件

说明书

本公开提供了一种半导体发光器件以及使用该半导体发光器件的半导体发光器件封装件。所述半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层，包括凹进区域和突出区域；活性层和第二导电类型半导体层，位于突出区域上；反射电极层，设置在第二导电类型半导体层上；绝缘层，包括设置在第一导电类型半导体层的接触区域上的第一开口和设置在反射电极层的接触区域上的第二开口；第一导电图案，设置在绝缘层上，并且延伸到第一开口中，以电连接到第一导电类型半导体层的接触区域；第二导电图案，设置在绝缘层上，并且延伸到第二开口中，以电连接到反射电极层；以及多层绝缘结构，覆盖第一导电图案和第二导电图案。

本申请要求于2018年5月11日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0054120号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体发光器件以及使用该半导体发光器件的半导体发光器件封装件。

背景技术

发光二极管是这样的器件：包括在器件中的物质通过向其施加电能而发光，并且由结合的半导体的电子和空穴的复合产生的能量被转换成光并被发射。这种发光二极管被广泛用作照明装置、显示装置和光源，并且其发展正在加速。

详细地，由于使用近来已经被开发并被使用的基于氮化镓(GaN)的发光二极管的移动电话键盘、转向信号灯、相机闪光灯等的商业化，所以已经积极地进行使用发光二极管的通用照明装置的开发。如在发光二极管的应用(诸如用于大尺寸TV的背光单元、汽车前灯、通用照明装置等)中，发光二极管的使用已经随着产品的尺寸、输出和效率而逐渐增加。

这样的发光二极管存在如下问题：因为由活性层发射的光的一部分被安装有发光二极管的封装件主体的表面反射并入射到发光二极管上，所以外部光提取效率降低。

发明内容

本发明构思的方面提供了具有改善的外部光提取效率的半导体发光器件和半导体发光器件封装件。

根据本发明构思的方面，半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层，包括凹进区域和突出区域；活性层和第二导电类型半导体层，顺序地堆叠在第一导电类型半导体层的突出区域上；反射电极层，设置在第二导电类型半导体层上；绝缘层，覆盖第一导电类型半导体层和反射电极层，其中，绝缘层包括设置在第一导电类型半导体层的接触区域上的第一开口和设置在反射电极层的接触区域上的第二开口；第一导电图案，设置在绝缘层上，其中，第一导电图案延伸到绝缘层的第一开口中，以电连接到第一导电类型半导体层的接触区域；第二导电图案，设置在绝缘层上，其中，第二导电图案延伸到绝缘层的第二开口中，以电连接到反射电极层；以及多层绝缘结构，覆盖第一导电图案和第二导电图案，其中，多层绝缘结构包括设置在第一导电图案上的第三开口和设置在第二导电图案上的第四开口。

根据本发明构思的方面，半导体发光器件包括：发光结构，包括顺序地堆叠在基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，并且具有第二导电类型半导体层和活性层被部分地去除的区域；反射电极层，设置在第二导电类型半导体层上；绝缘层，覆盖第一导电类型半导体层和反射电极层，其中，绝缘层包括设置在第一导电类型半导体层的接触区域上的第一开口和设置在反射电极层的接触区域上的第二开口；第一导电图案，设置在绝缘层上，其中，第一导电图案延伸到绝缘层的第一开口中，以电连接到第一导电类型半导体层的接触区域；第二导电图案，设置在绝缘层上，其中，第二导电图案延伸到绝缘层的第二开口中，以电连接到反射电极层；以及多层绝缘结构，覆盖第一导电图案和第二导电图案，其中，多层绝缘结构包括设置在第一导电图案上的第三开口和设置在第二导电图案上的第四开口。