[发明专利]半导体发光器件及使用其的半导体发光器件封装件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：

第一导电类型半导体层，包括凹进区域和突出区域；

活性层和第二导电类型半导体层，顺序地堆叠在所述第一导电类型半导体层的所述突出区域上；

反射电极层，设置在所述第二导电类型半导体层上；

绝缘层，覆盖所述第一导电类型半导体层和所述反射电极层，其中，所述绝缘层包括设置在所述第一导电类型半导体层的接触区域上的第一开口和设置在所述反射电极层的接触区域上的第二开口；

第一导电图案，设置在所述绝缘层上，其中，所述第一导电图案延伸到所述绝缘层的所述第一开口中，以电连接到所述第一导电类型半导体层的所述接触区域；

第二导电图案，设置在所述绝缘层上，其中，所述第二导电图案延伸到所述绝缘层的所述第二开口中，以电连接到所述反射电极层；以及

多层绝缘结构，覆盖所述第一导电图案和所述第二导电图案，其中，所述多层绝缘结构包括设置在所述第一导电图案上的第三开口和设置在所述第二导电图案上的第四开口。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述多层绝缘结构包括分布式布拉格反射器，在所述分布式布拉格反射器中具有第一折射率的第一层和具有比所述第一折射率高的第二折射率的第二层交替地堆叠。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述多层绝缘结构具有与所述第一导电图案和所述第二导电图案接触的第一表面以及与所述第一表面背对的第二表面；并且

所述第一表面为所述第一层中的一个第一层的表面，所述第二表面为所述第二层中的一个第二层的表面。

4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，所述第二表面作为其表面的所述第二层具有λ/2n2的厚度，其中，λ为由所述活性层发射的光的波长，n2为所述第二折射率。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述多层绝缘结构包括暴露所述绝缘层的边缘区域。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，所述半导体发光器件还包括设置在所述第三开口中且电连接到所述第一导电图案的第一电极垫以及设置在所述第四开口中且电连接到所述第二导电图案的第二电极垫，

其中，所述第一电极垫和所述第二电极垫中的至少一个包括置于所述第一导电图案和所述第二导电图案与所述多层绝缘结构之间的区域。

7.一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：

发光结构，包括顺序地堆叠在基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，并且具有所述第二导电类型半导体层和所述活性层被部分地去除的区域；

反射电极层，设置在所述第二导电类型半导体层上；

绝缘层，覆盖所述第一导电类型半导体层和所述反射电极层，其中，所述绝缘层包括设置在所述第一导电类型半导体层的接触区域上的第一开口和设置在所述反射电极层的接触区域上的第二开口；

第一导电图案，设置在所述绝缘层上，其中，所述第一导电图案延伸到所述绝缘层的所述第一开口中，以电连接到所述第一导电类型半导体层的所述接触区域；

第二导电图案，设置在所述绝缘层上，其中，所述第二导电图案延伸到所述绝缘层的所述第二开口中，以电连接到所述反射电极层；以及

多层绝缘结构，覆盖所述第一导电图案和所述第二导电图案，其中，所述多层绝缘结构包括设置在所述第一导电图案上的第三开口和设置在所述第二导电图案上的第四开口。

8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中，所述多层绝缘结构包括分布式布拉格反射器，在所述分布式布拉格反射器中具有第一折射率的第一层和具有比所述第一折射率高的第二折射率的第二层交替地堆叠。

9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中，所述多层绝缘结构具有接触所述基底的边缘部分。

10.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中，所述多层绝缘结构的侧表面与所述基底的侧面共面。