[发明专利]半导体处理设备

权利要求书

1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：

处理腔室；

位于所述处理腔室内的至少一个基座，所述基座用于放置一个待处理晶圆，所述基座能够在所述处理腔室内进行圆周运动；

至少一个管状喷头，位于所述处理腔室内，设置于所述基座上方，用于向所述晶圆表面喷洒工艺气体，所述管状喷头包括管体和沿所述管体分布的气孔；

随着与所述圆周运动的旋转圆心之间的距离逐渐增大，基座表面各处和所述管状喷头之间的垂直距离逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述基座表面倾斜，且随着与所述旋转圆心之间的距离逐渐增大，所述基座表面各处高度逐渐增高。

3.根据权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述基座表面的法线与所述圆周运动旋转轴线位于同一平面内。

4.根据权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述基座表面的倾斜角度大于0°，小于90°。

5.根据权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述基座底部设置有至少两根可升降支柱，用于调整所述基座表面的倾斜度。

6.根据权利要求1或2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述管状喷头水平设置。

7.根据权利要求1或2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述管状喷头倾斜设置，且随着与所述旋转圆心之间的距离逐渐增大，所述管状喷头高度逐渐降低。

8.根据权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，所述管状喷头的倾斜角度大于0°，小于90°。

9.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，随着与所述旋转圆心之间的距离逐渐增大，所述管状喷头的气孔的分布密度逐渐增大。

10.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述气孔沿所述管状喷头的长度方向均匀分布。

11.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述处理腔室包括吸附区域、吹扫区域和反应区域；所述吸附区域用于通入吸附于晶圆表面的吸附气体，所述吹扫区域用于通入吹扫气体以对晶圆表面进行吹扫去除晶圆表面多余的吸附气体，所述反应区域用于通入反应气体，与所述晶圆表面吸附的气体进行反应，在晶圆表面形成沉积膜层。

12.根据权利要求11所述的半导体处理设备，其特征在于，所述吸附区域内至少设置有一个所述管状喷头。

13.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备用于进行原子层沉积工艺。