[发明专利]一种用于制备柔性OLED的基板及柔性OLED的制备方法在审
申请号: | 201910007844.1 | 申请日: | 2019-01-04 |
公开(公告)号: | CN109786551A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 刘海滨;谭化兵;季恒星 | 申请(专利权)人: | 无锡第六元素电子薄膜科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 | 代理人: | 肖淑芳 |
地址: | 214000 江苏省无锡市惠山经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材层 石墨烯 制备 金属膜 耐高温 基板 基底 剥离 金属膜表面 基底表面 激光剥离 涂布基材 良率 固化 拉扯 损伤 制作 | ||
本发明提供一种柔性OLED的制备方法,采用用于制备柔性OLED的基板,所述基板包括石墨烯、金属膜和耐高温基底,所述金属膜设置于所述耐高温基底表面,所述石墨烯设置于所述金属膜表面。所述柔性OLED的制备方法包括,在所述基板的石墨烯表面上涂布基材层,然后固化,形成基材层/石墨烯/金属膜/耐高温基底;在基材层上制作OLED面板,形成OLED面板/基材层/石墨烯/金属膜/耐高温基底;和将OLED面板/基材层与石墨烯/金属膜/耐高温基底剥离,得到OLED面板/基材层。使用本发明提供的柔性OLED的制备方法,在将所述基板和所述基材层剥离的过程中,不使用激光剥离,避免了对OLED器件在拉扯中造成的损伤,提升柔性OLED器件的良率。
技术领域
本发明涉及一种用于制备柔性OLED的基板以及柔性OLED的制备方法,属于新显示技术领域。
背景技术
有机发光二极管英文名称为Organic Light-Emitting Diode,缩写是OLED,它又称为有机电激光显示、有机发光半导体。OLED显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。
如图1所示,现有的柔性OLED的主要制备的方法为:(1)在玻璃基板11上涂布基材层6然后固化,基材层为PI膜;(2)在固化后的基材层6上进行LTPS工艺,制备TFT阵列7;(3)蒸镀有机功能层8;(4)蒸镀电极层9;(5)蒸镀覆盖层10,得到覆盖层10/电极层9/有机功能层8/TFT阵列7/基材层6/玻璃基板11;(5)使用激光剥离技术使基材层6与玻璃基板11剥离。
通过现有的柔性OLED制备方法制备的OLED的不良产生在激光剥离段,因激光照射很容易造成OLED器件的损伤,且在基板表面有颗粒物的情况下,会造成PI膜接收激光不均匀,这样在剥离过程容易对OLED器件造成拉扯损坏。
背景技术部分的内容仅仅是发明人所知晓的技术,并不当然代表本领域的现有技术。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述现有技术中出现的在制备柔性OLED的过程中,将PI与玻璃基板剥离时对OLED器件的拉扯损坏的问题,提供了一种用于制备柔性OLED的基板,采用本发明基板能够使制备柔性OLED的过程中,PI膜与基板剥离时,OLED器件不会造成拉扯的损伤,提升OLED器件的制备良率;
本发明的另一个目的是提供一种新的柔性OLED的制备方法,该方法采用了上述基板。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案。
一种用于制备柔性OLED的基板,所述基板包括石墨烯、金属膜和耐高温基底,所述金属膜设置于所述耐高温基底表面,所述石墨烯设置于所述金属膜表面。
根据本发明的一个方面,所述耐高温基底为玻璃、陶瓷或石英。
根据本发明的一个方面,所述金属膜为铜膜、镍膜或铜镍合金膜。
优选地,所述金属膜为铜膜。
根据本发明的一个方面,所述金属膜的厚度为5-1000nm。
优选地,所述金属膜的厚度为20-100nm。
进一步优选地,所述金属膜的厚度为30nm。
金属膜和金属膜上生长的石墨烯作为用于制备柔性OLED基板的一部分,在制作完成OLED之后将金属膜和石墨烯撕除。金属膜的厚度太厚,会造成资源的浪费,制作效率也会降低,选择此厚度的金属膜能够提高效率、节约成本并能生长出良好的石墨烯。
根据本发明的一个方面,所述石墨烯为CVD法制备的石墨烯。
优选地,所述石墨烯为单层石墨烯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择