[发明专利]一种用于制备柔性OLED的基板及柔性OLED的制备方法在审
申请号: | 201910007844.1 | 申请日: | 2019-01-04 |
公开(公告)号: | CN109786551A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 刘海滨;谭化兵;季恒星 | 申请(专利权)人: | 无锡第六元素电子薄膜科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 | 代理人: | 肖淑芳 |
地址: | 214000 江苏省无锡市惠山经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材层 石墨烯 制备 金属膜 耐高温 基板 基底 剥离 金属膜表面 基底表面 激光剥离 涂布基材 良率 固化 拉扯 损伤 制作 | ||
1.一种用于制备柔性OLED的基板,其特征在于,所述基板包括:石墨烯、金属膜和耐高温基底,所述金属膜设置于所述耐高温基底表面,所述石墨烯设置于所述金属膜表面。
2.根据权利要求1所述的用于制备柔性OLED的基板,其特征在于,所述耐高温基底为玻璃、陶瓷或石英;
优选地,所述金属膜为铜膜、镍膜或铜镍合金膜;进一步优选地,所述金属膜为铜膜;
优选地,所述金属膜的厚度为5-1000nm;进一步优选地,所述金属膜的厚度为20-100nm;优选30nm;
优选地,所述石墨烯为CVD法制备的石墨烯;进一步优选地,所述石墨烯为单层石墨烯。
3.根据权利要求1或2所述的用于制备柔性OLED的基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在耐高温基底上设置金属膜,形成金属膜/耐高温基底;和
在金属膜上生长石墨烯,形成石墨烯/金属膜/耐高温基底,即所述基板。
4.根据权利要求3所述的用于制备柔性OLED的基板的制备方法,其特征在于,所述在耐高温基底上设置金属膜采用溅射或蒸发的方法在耐高温基底上形成一层或两层以上金属膜;优选地,所述金属膜为一层金属膜。
5.根据权利要求3所述的用于制备柔性OLED的基板的制备方法,其特征在于,所述在金属膜上生长石墨烯的方法为,将所述金属膜/耐高温基底用CVD法在所述金属膜的表面生长石墨烯;
优选地,所述CVD法为热CVD法或PECVD法;
优选地,所述石墨烯为单层或两层以上石墨烯。
6.一种柔性OLED的制备方法,其特征在于,采用如权利要求1所述的基板,包括:
在所述基板的石墨烯表面上涂布基材层,然后固化,形成基材层/石墨烯/金属膜/耐高温基底;
在基材层上制作OLED面板,形成OLED面板/基材层/石墨烯/金属膜/耐高温基底;和
将OLED面板/基材层与石墨烯/金属膜/耐高温基底剥离,得到OLED面板/基材层。
7.根据权利要求6所述的柔性OLED的制备方法,其特征在于,所述基材层为PI膜。
8.根据权利要求6所述的柔性OLED的制备方法,其特征在于,所述在基材层上制作OLED面板的方法为:在基材层上制备TFT阵列,再在所述TFT阵列表面制作有机功能层,再在有机功能层表面制作电极层,再制作覆盖层,将电极层和裸露的有机功能层全部覆盖;
优选地,所述在基材层上制备TFT阵列采用LTPS工艺;
优选地,所述制作有机功能层的方式为蒸镀;
优选地,所述制作电极层的方式为蒸镀;
优选地,所述制作覆盖层的方法为蒸镀。
9.根据权利要求6所述的柔性OLED的制备方法,其特征在于,所述将OLED面板/基材层与石墨烯/金属膜/耐高温基底剥离的方法为使用撕膜机或手工撕除的方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择