[发明专利]一种芯片制备方法以及芯片结构

说明书

本发明公开了一种芯片制备方法，包括：提供晶圆，在所述晶圆上电镀金属，形成金属布线层；进行金属电镀洗边，去除晶圆边缘处的部分所述金属布线层，形成具有第一宽度的洗边区；在所述晶圆以及所述金属布线层表面形成介质层；进行晶边修剪，去除晶圆边缘处的部分所述介质层以及一定厚度的所述晶圆，形成具有第二宽度的晶边修剪区；其中，所述第一宽度小于等于所述第二宽度。由于所述晶边修剪区以外区域的所述布线凹槽均被金属布线层填充，因此随着晶边修剪工艺精度水平的提高，在晶边修剪区宽度能够被减小时，晶圆上金属布线层可利用区域可以得到增大。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片制备方法以及芯片结构。

背景技术

在半导体芯片(IC)制备过程中，通过电镀金属形成金属布线层后，一般需要通过金属电镀洗边工艺去除晶圆边缘的电镀金属。然而，在相关技术中，金属电镀洗边往往导致晶圆洗边区布线层图案里面填充的金属被去除，而留下空洞；这些空洞的位置会在进行晶圆键合时形成气泡，并在后续的晶圆减薄过程中成为缺陷的源头。本领域中，通常采用较厚的介质层材料填满所述空洞，再采用化学机械研磨(CMP)的方式对所述介质层进行平坦化，然后才能进行晶圆键合。

在上述技术中，一方面，化学机械研磨工艺的均一性不好控制，导致平坦化之后剩余的介质层厚度均一性差，直接影响后续工艺的进行；另一方面，为了把空洞填平，需要沉积较厚的介质层，然而沉积的介质层中大部分厚度需要被研磨掉，才能得到满足器件设计需要的介质层，这无疑浪费了结构材料，增加了CMP工艺步骤，提高了生产成本。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种芯片制备方法以及芯片结构。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种芯片制备方法，包括：

提供晶圆，在所述晶圆上电镀金属，形成金属布线层；

进行金属电镀洗边，去除晶圆边缘处的部分所述金属布线层，形成具有第一宽度的洗边区；

在所述晶圆以及所述金属布线层表面形成介质层；

进行晶边修剪，去除晶圆边缘处的部分所述介质层以及一定厚度的所述晶圆，形成具有第二宽度的晶边修剪区；

其中，所述第一宽度小于等于所述第二宽度。

上述方案中，所述金属电镀洗边具有第一制程精度，所述晶边修剪具有第二制程精度，所述第一宽度小于等于所述第二宽度减去所述第一制程精度以及所述第二制程精度后的差值。

上述方案中，所述第一宽度小于等于1毫米(mm)。

上述方案中，所述金属为铜，所述金属电镀洗边为铜电镀洗边(ECP EBR)。

上述方案中，所述形成金属布线层，具体包括：刻蚀所述晶圆，形成布线凹槽；在所述布线凹槽上电镀金属，形成所述金属布线层。

上述方案中，在形成所述介质层之前，还包括形成阻挡层的步骤。

上述方案中，在进行所述晶边修剪之后，所述方法还包括：

在所述介质层内形成导电通孔；

进行晶圆键合。

上述方案中，在进行所述晶边修剪之后，剩余的所述布线凹槽均被电镀的所述金属填充。

本发明实施例还提供了一种芯片结构，包括：

晶圆；

位于所述晶圆上表面处的布线凹槽；

形成在所述布线凹槽内的金属布线层；

形成在所述金属布线层上的介质层；