[发明专利]一种芯片制备方法以及芯片结构有效
| 申请号： | 201910001024.1 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109830445B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 严孟;胡思平;许健 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李梅香;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 制备 方法 以及 结构 | ||
1.一种芯片制备方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，在所述晶圆上电镀金属，形成金属布线层；
进行金属电镀洗边，去除晶圆边缘处的部分所述金属布线层，形成具有第一宽度的洗边区；
在所述晶圆以及所述金属布线层表面形成介质层；
从所述晶圆的形成有所述介质层的表面进行晶边修剪，去除晶圆边缘处的部分所述介质层以及从所述晶圆表面至所述晶圆内部的一定厚度的所述晶圆，形成具有第二宽度的晶边修剪区；
其中，所述第一宽度小于等于所述第二宽度；
在进行所述晶边修剪之后，所述方法还包括：进行晶圆键合。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属电镀洗边具有第一制程精度，所述晶边修剪具有第二制程精度，所述第一宽度小于等于所述第二宽度减去所述第一制程精度以及所述第二制程精度后的差值。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一宽度小于等于1毫米(mm)。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属为铜，所述金属电镀洗边为铜电镀洗边(ECP EBR)。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成金属布线层，具体包括：刻蚀所述晶圆，形成布线凹槽；在所述布线凹槽上电镀金属，形成所述金属布线层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述介质层之前，还包括形成阻挡层的步骤。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述晶边修剪之后，进行所述晶圆键合之前，所述方法还包括：
在所述介质层内形成导电通孔。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在进行所述晶边修剪之后，剩余的所述布线凹槽均被电镀的所述金属填充。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910001024.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
