[发明专利]一种集成有至少两个裸片的芯片

权利要求书

1.一种芯片，其特征在于，包括：

第一裸片和第二裸片，其中，所述第二裸片设置在所述第一裸片上；

所述芯片中还设有包裹所述第一裸片的填充介质层；

所述填充介质层中设有介质通道和连接金属,所述第一裸片通过所述介质通道和所述连接金属与所述第二裸片耦合，

其中，所述第一裸片和第二裸片采用不同的制造工艺精度，所述第一裸片和第二裸片中制造工艺精度较低的那个裸片承载的电路的需求电压较高。

2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第二裸片的顶部被固定在所述第一裸片的底部上。

3.如权利要求2所述芯片，其特征在于，所述芯片还包括接垫，所述接垫设置于所述芯片的底部，所述第一裸片处于所述第二裸片和所述接垫之间。

4.如权利要求1-3任一项所述的芯片，其特征在于，所述第一裸片的功耗高于所述第二裸片。

5.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一裸片用于承载处理器电路，所述第二裸片用于承载输出/输出电路，或者模拟电路。

6.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片包括至少两个所述第二裸片，或至少两个所述第一裸片。

7.如权利要求1项所述的芯片，其特征在于，所述介质通道包括第一介质通道和第二介质通道，所述第一介质通道用于连通所述第一裸片和所述连接金属，所述第二介质通道用于连通所述第二裸片和所述连接金属，所述第一介质通道和所述第二介质通道通过所述连接金属耦合。

8.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一裸片包括第一硅基板以及第一金属互联层，所述第二裸片包括第二硅基板以及第二金属互联层。

9.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述第一金属互联层和第二金属互联层中布设有被绝缘介质包裹的电路层，所述绝缘介质中设有穿孔，所述第一金属互联层中的电路层通过所述穿孔与所述第一硅基板或所述介质通道耦合，所述第二金属互联层中的电路层通过所述穿孔与所述第二硅基板或所述介质通道耦合。

10.如权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述第一金属互联层或所述第二金属互联层中包括至少两层电路层，所述至少两层电路层之间通过所述穿孔耦合。

11.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述填充介质层中的填充介质包裹所述第一裸片，和/或，所述第二裸片。