[发明专利]半导体装置、功率模块以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

导电性的半导体基板，其具有彼此相对的第一主面和第二主面，在所述第一主面形成有槽；

多个导电层，其分别是第一导电层和第二导电层的任一个，并沿着所述槽的侧面的面法线方向层叠；

介电层，其分别配置在所述多个导电层中的最接近所述槽的侧面的导电层与所述槽的侧面之间、以及所述多个导电层的相互之间；

第一电极，其配置在所述槽的外部，与所述第一导电层电连接；

第二电极，其配置在所述槽的外部，与所述第二导电层电连接，

所述第一导电层与所述半导体基板电绝缘，

在所述槽的内部与所述第二导电层电连接的所述半导体基板与所述第二电极电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述槽通过所述多个导电层和所述介电层的层叠结构被埋入。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一导电层和所述第二导电层合在一起具有4层以上的导电层。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

将所述多个导电层中的最接近所述槽的侧面的导电层作为第一个导电层，

所述多个导电层的第奇数个导电层彼此电连接，

所述多个导电层的第偶数个导电层彼此电连接。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述介电层为将不同材料构成的多个电介质膜层叠的结构。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一电极配置在所述第一主面，

与所述第一电极连接的所述第一导电层的上端的位置相比，所述第二导电层的上端的位置远离所述第一主面，

遍及所述第一主面的整个面，所述第一电极和所述第一导电层直接层叠。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具备与所述半导体基板的所述第一主面和所述第二主面中的至少一个相对配置的冷却装置。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板为单晶硅基板。

9.如权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板为多晶硅基板。

10.如权利要求1～9的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述介电层包括氧化硅膜或氮化硅膜中的至少一个。

11.一种功率模块，其特征在于，具备：

权利要求1～10的任一项所述的半导体装置，

第一功率半导体元件，其漏电极与所述第二电极连接；

第二功率半导体元件，其源电极与所述第一电极连接，

所述第一功率半导体元件的源电极与所述第二功率半导体元件的漏电极电连接。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含如下的工序：

在导电性的半导体基板的第一主面形成槽；

使分别为第一导电层和第二导电层的任一个的多个导电层沿着所述槽的侧面的面法线方向层叠，同时在所述多个导电层中的最接近所述槽的侧面的导电层与所述槽的侧面之间、以及所述多个导电层的相互之间形成介电层；

为了使所述第二导电层与所述半导体基板在所述槽的底部电连接，去除形成在所述槽的底部的所述第一导电层和所述介电层，

在用绝缘保护膜覆盖所述第一主面的所述槽的外部之后，去除形成在所述槽的底部的所述第一导电层和所述介电层。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

使所述绝缘保护膜形成为端部从所述槽的侧面向内侧突出的形状。