[发明专利]用于预防焊料桥接的互连结构及相关系统及方法

权利要求书

1.一种半导体裸片，其包括：

半导体衬底；

绝缘材料，其在所述半导体衬底的表面上方；

导电接点，其在所述半导体材料的所述表面处且通过所述绝缘材料中的开口暴露；

互连结构，其包含电耦合到所述导电接点的导电材料，其中所述导电材料包含具有与所述导电接点垂直地对准的第一部分及横向延伸远离所述第一部分且在所述绝缘材料的至少一部分上方的第二部分的顶部表面；及

焊料材料，其至少部分安置于所述导电材料的所述顶部表面的所述第二部分上。

2.根据权利要求1所述的半导体裸片，其进一步包括至少部分在所述导电材料的所述顶部表面的所述第一部分上方的围阻层。

3.根据权利要求2所述的半导体裸片，其中所述围阻层在所述导电材料的所述顶部表面的所述第一部分的全部上方。

4.根据权利要求2所述的半导体裸片，其中所述围阻层经配置以预防所述焊料材料从所述导电材料的所述顶部表面的所述第二部分芯吸到所述第一部分。

5.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述围阻层是氧化物、氮化物或聚酰亚胺中的至少一者。

6.根据权利要求5所述的半导体裸片，其中所述围阻层包括氧化镍。

7.根据权利要求2所述的半导体裸片，其中所述互连结构进一步包含延伸在所述顶部表面与所述半导体衬底及所述接点之间的侧壁表面，且其中所述围阻层至少部分在所述侧壁表面上方。

8.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述导电材料包括电耦合到所述导电接点的第一导电材料及安置于所述第一导电材料上方的第二导电材料。

9.根据权利要求8所述的半导体裸片，其中所述第一导电材料包括铜，其中所述第二导电材料包括镍，且其中所述绝缘材料包括钝化材料。

10.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述导电接点是至少部分延伸穿过所述半导体衬底的接合垫或互连结构的一部分中的至少一者。

11.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述焊料材料的部分未与所述导电接点垂直地对准。

12.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中少于约50％的所述焊料材料与所述导电接点垂直地对准。

13.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中少于约25％的所述焊料材料与所述导电接点垂直地对准。

14.一种半导体裸片，其包括：

半导体衬底；

第一接点，其暴露于所述半导体衬底的表面处；

第二接点，其暴露于所述半导体衬底的所述表面处；

第一互连结构，其电耦合到所述第一接点，其中所述第一互连结构包含具有所述第一接点上方的第一部分及横向偏离所述第一接点的第二部分的顶部表面；

第一焊料材料，其安置于所述第一互连结构的所述顶部表面的所述第二部分上；

第二互连结构，其电耦合到所述第二接点，其中所述第二互连结构包含具有所述第二接点上方的第三部分及横向偏离所述第二接点的第四部分的顶部表面；及

第二焊料材料，其安置于所述第二互连结构的所述顶部表面的所述第四部分上。

15.根据权利要求14所述的半导体裸片，其中所述第二接点与所述第一接点隔开第一距离，且其中所述第二焊料材料与所述第一焊料材料隔开大于所述第一距离的第二距离。

16.根据权利要求15所述的半导体裸片，其中所述第二距离是所述第一距离的至少两倍。