[发明专利]存储器阵列和形成存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种组件，其包含：

用于传导电流的沟道；所述沟道包括第一沟道部分和第二沟道部分；

第一存储器单元结构，其位于第一栅极和所述第一沟道部分之间；所述第一存储器单元结构包括第一电荷存储区域和第一电荷阻挡区域；所述第一电荷阻挡区域位于所述第一电荷存储区域和所述第一栅极之间；所述第一电荷阻挡区域包含氮氧化硅；

第二存储器单元结构，其位于第二栅极和所述第二沟道部分之间；所述第二存储器单元结构包括第二电荷存储区域和第二电荷阻挡区域；所述第二电荷阻挡区域位于所述第二电荷存储区域和所述第二栅极之间；所述第二电荷阻挡区域包含氮氧化硅；以及

空隙，其位于所述第一栅极和所述第二栅极之间以及所述第一存储器单元结构和所述第二存储器单元结构之间。

2.根据权利要求1所述的组件，其包含沿着所述空隙的外周缘的绝缘衬里。

3.根据权利要求2所述的组件，其中所述绝缘衬里包含二氧化硅。

4.根据权利要求3所述的组件，其中所述空隙在所述第一栅极和所述第二栅极之间具有第一垂直尺寸，并且在所述第一电荷存储区域和所述第二电荷存储区域之间具有第二垂直尺寸；并且其中所述第二垂直尺寸大于所述第一垂直尺寸。

5.根据权利要求1所述的组件，其包含在所述第一栅极和所述第一电荷阻挡区域之间的第一电介质阻隔区域，并且包含在所述第二栅极和所述第二电荷阻挡区域之间的第二电介质阻隔区域。

6.根据权利要求5所述的组件，其中所述第一电介质阻隔区域和所述第二电介质阻隔区域包含高k材料。

7.根据权利要求1所述的组件，其中所述第一电荷阻挡区域包含沿着所述氮氧化硅的二氧化硅，并且其中所述第二电荷阻挡区域包含沿着所述氮氧化硅的二氧化硅。

8.根据权利要求7所述的组件，其中所述第一电荷阻挡区域的氮氧化硅具有两个相对的侧面；其中所述第一电荷阻挡区域的所述二氧化硅仅沿着所述第一电荷阻挡区域的氮氧化硅的相对侧面中的一个；其中所述第二电荷阻挡区域的所述氮氧化硅具有两个相对的侧面；并且其中所述第二电荷阻挡区域的所述二氧化硅仅沿着所述第二电荷阻挡区域的氮氧化硅的相对侧面中的一个。

9.一种存储器阵列，其包含：

交替的绝缘级和字线级的垂直堆叠；

沿着所述堆叠垂直地延伸的沟道材料；

沿着所述字线级的栅极；

存储器单元结构，其沿着所述字线级，并且位于所述栅极和所述沟道材料之间；所述存储器单元结构包括电荷存储区域和电荷阻挡区域；所述电荷阻挡区域在所述电荷存储区域和所述栅极之间；

空隙，其沿着所述绝缘级；各个所述空隙各自包含在一对垂直相邻的所述栅极之间的第一区域和在一对垂直相邻的所述电荷存储区域之间的第二区域；以及

绝缘衬里，其在所述空隙内并且沿着所述空隙的外周缘。

10.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述空隙的所述第二区域在垂直方向上比所述空隙的所述第一区域长。

11.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述绝缘衬里包含二氧化硅。

12.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述绝缘衬里由二氧化硅组成。

13.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中电介质阻隔区域在所述栅极和所述电荷阻挡区域之间；并且其中所述电介质阻隔区域包含一或多种高k氧化物。

14.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述电荷阻挡区域包含氮氧化硅。