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[发明专利]包括电介质材料的电子装置及相关系统及方法-CN202280015311.8在审
发明人： M·A·林德曼;C·豪德;福住嘉晃;R·J·希尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：本发明涉及电子装置，其包括邻近源极触点的掺杂电介质材料、邻近所述掺杂电介质材料的交替导电材料及电介质材料的层级及延伸穿过所述层级、所述掺杂电介质材料及所述源极触点且到源极堆叠中的支柱。还公开相关方法及电子系统。
包括电介质材料电子装置相关系统方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和其形成方法-CN202310246273.3在审
发明人： C·豪德;J·D·霍普金斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本案实施例涉及包括存储器单元串的存储器阵列和其形成方法。包括存储器单元串的存储器阵列包括在导体层面的导体材料正上方且个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。沟道材料串构造穿过绝缘层面和导电层面延伸到导电层面的最下部。沟道材料串构造个别地包括电荷阻挡材料串、从电荷阻挡材料串横向向内的存储材料串、从存储材料串横向向内的电荷传递材料串，及从电荷传递材料串横向向内的沟道材料串。处于最下部导电层面中的导电材料将个别沟道材料串的沟道材料与导体层面的导体材料直接电耦合在一起。导电材料横向处于电荷阻挡材料串的横向内部侧壁旁边且从横向内部侧壁横向向内。公开方法。
包括存储器单元阵列形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202310246293.0在审
发明人： C·豪德;J·埃霍恩;J·D·霍普金斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本公开涉及包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括处于导体层面的导体材料正上方并且个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。沟道材料串构造穿过绝缘层面和导电层面延伸到导电层面的最下部。沟道材料串构造个别地包括电荷阻挡材料串、从电荷阻挡材料串横向向内的存储材料串、从存储材料串横向向内的电荷传递材料串，以及从电荷传递材料串横向向内的沟道材料串。电荷阻挡材料串的处于最下部导电层面的最下部表面上方的最下部表面处于紧靠在最下部导电层面上方的绝缘层面的最下部的最下部表面下方。处于最下部导电层面中的导电材料将个别沟道材料串的沟道材料与导体层面的导体材料直接电耦合在一起。公开了与方法无关的结构。
包括存储器单元阵列形成方法

[发明专利]具有竖直凹入的通道结构及离散的、间隔开的狭缝间结构的微电子装置以及相关方法及系统-CN202280011771.3在审
发明人：刘海涛;杨立涛;A·法鲁辛;N·考希克;李健;C·豪德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种微电子装置包含堆叠结构，其包括按层级布置的绝缘与导电结构的竖直交替序列。包括通道材料的至少一个支柱延伸穿过所述堆叠结构。所述堆叠结构下方的源极区包括掺杂材料，其具有突出到与接近至少一个源极侧GIDL区的标高处的所述通道材料的界面的竖直延伸部。狭缝结构延伸穿过所述堆叠结构以将所述结构划分成支柱阵列块。沿着所述狭缝结构的基底包含一系列间隔开的离散底座结构。形成所述微电子装置结构可包含形成穿过所述支柱的单元材料的横向开口、使所述通道材料竖直凹入及在加宽的凹部中形成所述掺杂材料之前使所述支柱的其它材料横向凹入。还公开额外微电子装置、相关方法及电子系统。
具有竖直通道结构离散间隔狭缝微电子装置以及相关方法系统

[发明专利]集成电路系统和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202180048119.4在审
发明人： C·豪德;J·D·霍普金斯;A·N·斯卡伯勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括在衬底上形成包括导体材料的导体层。第一层中的最下部第一层包括导电第一牺牲材料。导电第二材料直接电耦合到所述导电第一牺牲材料。所述导电第一牺牲材料和所述导电第二材料具有彼此相差至少0.5V的不同还原电位。
集成电路系统用于形成包括存储器单元阵列方法

[发明专利]集成电路系统的导电通孔、包括存储器单元串的存储器阵列、形成集成电路系统的导电通孔的方法，以及形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202180046104.4在审
发明人：王宜平;J·D·格林利;C·豪德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：一种用于形成集成电路系统的导电通孔的方法包括在竖向细长开口的侧壁上方侧向形成衬里。所述衬里包括元素形态硅。在所述竖向细长开口中离子植入所述衬里的最上部分的所述元素形态硅。相对于所述衬里的处于所述最上部分下方的下部部分的不经历所述离子植入的所述元素形态硅，选择性地蚀刻所述衬里的所述最上部分的所述经离子植入的元素形态硅。使所述衬里的所述下部部分的所述元素形态硅与金属卤化物反应以形成所述竖向细长开口的下部部分中的元素形态金属，所述元素形态金属是来自所述金属卤化物的金属。在所述竖向细长开口中在所述元素形态金属顶上并且直接抵靠所述元素形态金属形成导电材料。本文公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。
集成电路系统导电包括存储器单元阵列形成方法以及

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202211012180.6在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯;C·E·卡特;J·D·谢泼德森;C·豪德;J·沃拉尼克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本公开涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。存储器单元串包括延伸穿过绝缘层及导电层的沟道材料串。所述沟道材料串通过传导材料与导体层的导体材料直接电耦合，所述传导材料在最下部的所述导电层中并且直接抵靠多个所述沟道材料串。穿阵列通孔TAV区包括个别地延伸穿过所述最下部导电层并进入所述导体层的TAV。所述最下部导电层中的各个所述TAV包括导电芯，所述导电芯具有周向地围绕其的环形区。所述环形区中的掺杂剂的总掺杂剂浓度为0.01至30原子％。所述最下部导电层中的绝缘材料周向地围绕所述环形区并且在紧邻的所述TAV之间。公开包含方法的其它实施例。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202210979039.7在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯;C·豪德;J·D·格林利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成将包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠的下部部分。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区。所述第一层的材料具有与第二层的材料不同的组合物。所述下部部分包括包括绝缘材料的上部第二层。在所述下部部分上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层。形成延伸穿过所述上部部分到所述下部部分的沟道材料串。纵向沿着所述存储器块区的相对横向边缘在所述上部第二层中形成水平伸长线。所述线的材料具有与所述上部第二层中的横向位于所述线之间的所述绝缘材料的组合物不同的组合物。将水平伸长沟槽形成到所述堆叠中，所述水平伸长沟槽个别地在横向紧邻的所述存储器块区之间且延伸穿过所述上部部分到所述下部部分。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]集成组合件及形成集成的方法-CN202080088405.9在审
发明人： C·豪德;G·A·哈勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有存储器单元层级堆叠的集成结构。一对沟道材料支柱延伸穿过所述堆叠。源极结构在所述堆叠之下。所述源极结构包含具有上区域、下区域及所述上区域与所述下区域之间的中间区域的部分。所述上及下区域具有相同组合物且在边缘位置彼此接合。所述中间区域具有与所述上及下区域不同的组合物。所述边缘位置直接抵靠所述沟道材料支柱的沟道材料。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202110760906.3在审
发明人： C·豪德;S·索尔斯;M·托鲁姆 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，堆叠包括竖直交替的包括除掺杂二氧化硅以外的材料的第一层和包括掺杂二氧化硅的第二层。堆叠包括横向间隔开的存储器块区。沟道材料串构造延伸穿过存储器块区中的第一层和第二层。沟道材料串构造个别地包括延伸穿过存储器块区中的第一层和第二层的沟道材料串。选择性地相对于第一层中的其它材料且选择性地相对于并暴露作为个别沟道材料串构造的一部分的电荷阻挡材料的含未掺杂二氧化硅的串蚀刻第二层中的掺杂二氧化硅。穿过第二层中因对掺杂二氧化硅的蚀刻而留下的空隙空间蚀刻含未掺杂二氧化硅的串，以将个别含未掺杂二氧化硅的串划分成未掺杂二氧化硅的竖直隔开段。
用于形成包括存储器单元阵列方法

[发明专利]存储器阵列及用以形成存储器阵列的方法-CN202080013518.2在审
发明人： B·布尚;C·M·卡尔森;C·豪德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-01-28 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括形成包括垂直交替绝缘层及字线层的堆叠。形成沿所述垂直交替层竖向延伸的第一电荷阻挡材料。所述第一电荷阻挡材料具有至少7.0的k且包括金属氧化物。在所述第一电荷阻挡材料的横向内形成第二电荷阻挡材料。所述第二电荷阻挡材料具有小于7.0的k。在所述第二电荷阻挡材料的横向内形成存储材料。在所述存储材料的横向内形成绝缘电荷通过材料。在所述绝缘电荷通过材料的横向内形成沿所述绝缘层及所述字线层竖向延伸的通道材料。本发明公开结构实施例。
存储器阵列用以形成方法

[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法-CN201980089293.6在审
发明人： C·豪德;G·A·哈勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种用于形成存储器阵列的方法包括形成衬底，所述衬底包括导电层、导电层上方的第一绝缘体层、第一绝缘体层上方的牺牲材料层以及牺牲材料层上方的第二绝缘体层。包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠形成在第二绝缘体层上方。形成穿过绝缘层和字线层的沟道材料。形成穿过堆叠到牺牲材料层的水平伸长沟槽。通过水平伸长沟槽相对于第一绝缘体层的材料选择性地且相对于第二绝缘体层的材料选择性地蚀刻牺牲材料。沟道材料的横向外部侧壁暴露在牺牲材料层中。直接抵靠牺牲材料层中的沟道材料的横向外部侧壁形成导电结构。导电结构延伸穿过第一绝缘体层且将沟道材料直接电耦合到导电层。公开了结构实施例。
存储器阵列用于形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202110135995.2在审
发明人： C·豪德;C·E·卡特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请案涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括：在衬底上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。在所述堆叠中形成水平拉长的沟槽以形成横向间隔开的存储器块区。在所述沟槽中的个别沟槽的底部区中形成催化材料。将金属材料无电沉积到所述催化材料的催化表面上以个别地填充所述个别沟槽的至少大部分剩余体积。沟道材料串形成且延伸穿过所述第一层和所述第二层。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法-CN201980071837.6在审
发明人：金昌汉;R·J·希尔;J·D·霍普金斯;C·豪德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种存储器阵列，其包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和字线层。所述字线层包括个别存储器单元的栅极区。所述栅极区个别地包括所述字线层中的个别者中的字线的部分。沟道材料竖向延伸穿过所述绝缘层和所述字线层。所述个别存储器单元包括横向地位于所述栅极区与所述沟道材料之间的存储器结构。所述字线中的个别者包括相对的横向外侧纵向边缘。所述纵向边缘个别地包括横向延伸到所述相应个别字线中的纵向拉长的凹槽。公开了方法。
存储器阵列用于形成方法

[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法-CN201980072392.3在审
发明人： C·豪德;R·J·克莱因 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种存储器阵列，其包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和字线层。所述字线层包括各个存储器单元的栅极区。所述栅极区分别包括各个所述字线层中的字线的部分。沟道材料竖向地延伸穿过所述绝缘层和所述字线层。所述各个存储器单元包括横向位于所述栅极区与所述沟道材料之间的存储器结构。各个所述字线包括横向外侧纵向边缘部分和横向邻近各个所述横向外侧纵向边缘部分的相应横向内侧部分。所述各个横向外侧纵向边缘部分相对于其横向邻近的横向内侧部分向上和向下突出。公开了方法。
存储器阵列用于形成方法

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