[发明专利]具有经过粗化处理的铜表面的物体在审
申请号: | 201880059907.1 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN111108817A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 佐藤牧子;铃木理 | 申请(专利权)人: | 纳美仕有限公司 |
主分类号: | H05K3/38 | 分类号: | H05K3/38;C23F1/00;H01M4/66;H01M4/70;H05K1/03 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;程采 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 经过 处理 表面 物体 | ||
本发明的目的在于提供一种具有经过粗化处理的铜表面的物体。一个实施方式是具有被厚度为6nm以上的铜覆盖的表面的物体,在至少一部分的铜表面具有凸部,凸部的表面含有氧化铜,凸部的内部含有铜,高度为50nm以上的凸部在每3.8μm中有5个以上,并且凸部的平均长度为500nm以下,深度6nm(SiO2换算)处的Cu/O的含有比为5以下。
技术领域
本发明涉及具有经过粗化处理的铜表面的物体。
背景技术
铜具有印刷电路板所使用的铜箔、在基板上布线的铜线、LIB负极集电体用的铜箔等多种多样的用途。
例如,印刷电路板所使用的铜箔需求与树脂的密合性。为了提高该密合性,采用着利用蚀刻等对铜箔的表面进行粗化处理以提高物理性粘接力的方法。但是,随着印刷电路板的高密度化,需求铜箔表面的平坦化。为了满足这些相反的需求,开发出进行氧化工序和还原工序等的铜表面处理方法(WO2014/126193号公开公报)。由此,对铜箔进行预处理,浸渍在含有氧化剂的药液中,从而使铜箔表面氧化而形成氧化铜的凹凸,之后,浸渍在含有还原剂的药液中,使氧化铜还原,由此调节表面的凹凸,调整表面粗糙度。此外,作为利用了氧化还原的铜箔处理中的密合性改善方法,开发出在氧化工序中添加表面活性分子的方法(日本特表2013-534054号公报)、和在还原工序后使用氨基噻唑系化合物等在铜箔表面形成保护覆膜的方法(日本特开平8-97559号公报)。
另外,在LIB负极集电体中,如果为了高输出、高能量密度化而采用大容量的活性物质,则充电时和放电时的活性物质的体积膨胀率就会增大。因此,若重复进行充放电,连接活性物质与集电体的粘结材料就会发生破裂、或者粘结材料从活性物质界面、集电体界面剥离,循环特性恶化。为了防止这种情况,公开了增加铜箔侧的粘结材料量以提高铜箔与负极合剂层的密合性的发明(日本特开平10-284059号公报)。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的目的在于提供具有经过粗化处理的铜表面的物体。
用于解决问题的技术方案
本发明的一个实施方式是一种具有被厚度为6nm以上的铜覆盖的表面的物体,在至少一部分的铜表面具有凸部,凸部的表面含有氧化铜,凸部的内部含有铜,在截面上,高度为50nm以上的凸部在每3.8μm中平均有5个以上,并且凸部的平均长度为500nm以下,深度6nm(SiO2换算)处的Cu/O的含有比为5以下。上述物体可以是铜箔、铜颗粒、铜粉或镀铜的物体。包含上述氧化铜的层的厚度可以为8~50nm。关于上述凸部的高度,在由扫描电子显微镜得到的截面的拍摄图像中,测定将凸部两侧的凹部的极小点连接的线段的中点、与凸部的极大点的距离。
本发明的其它实施方式是一种铜表面的粗化处理方法,其包括:将铜表面氧化的第一工序、和将发生了氧化的上述铜表面溶解的第二工序。可以在第一工序之前使用碱性水溶液进行碱处理。可以在第一工序中利用氧化剂将上述铜表面氧化。可以在第二工序中利用溶解剂将上述发生了氧化的上述铜表面溶解。上述溶解剂的pH值可以为pH9.0~14.0。将上述发生了氧化的上述铜表面溶解,使得上述铜表面发生氧化而生成的氧化铜的溶解率达到35~99%、并且通过SERA(连续电化学还原法)测得的氧化膜厚度达到4~150nm。
本发明的又一实施方式是上述任一种所述的物体的制造方法,其包括利用上述任一项所述的粗化处理方法对上述物体的表面的铜进行处理的工序。
本发明的另一实施方式是铜箔与树脂的叠层板的制造方法,其中,上述铜箔是上述任一项所述的物体,该制造方法包括将上述物体与上述树脂以层状粘接的工序。上述树脂也可以为聚苯醚。
本发明的再一实施方式是一种印刷基板的制造方法,其包括利用上述任一项所述的叠层板的制造方法制造叠层板的工序。
==与相关文献的相互参照==
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳美仕有限公司,未经纳美仕有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880059907.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。