[发明专利]一种半导体封装材料的制备方法以及由此得到的半导体封装材料有效
| 申请号： | 201880036076.6 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN111065603B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陈树真;李锐 | 申请（专利权）人： | 浙江三时纪新材科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;C01B33/12 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州市湖州经济技*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 材料 制备 方法 以及 由此 得到 | ||
1.一种半导体封装材料的制备方法，其特征在于，其包括步骤：
S1，提供以T单位的硅氧烷为主要成分的球形硅树脂微粉，其中，T单位=RSiO3-，R为可独立选择的碳原子1至16的烃基或氢原子；
S2，对该球形硅树脂微粉进行煅烧得到最频径为0.3至30微米的球形二氧化硅填料，该球形二氧化硅填料实质上不含最频径的1.5倍以上的大颗粒，煅烧温度为500度-1000度；以及
S3，将所述球形二氧化硅填料作为主粉紧密填充级配在树脂中形成半导体封装材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述球形二氧化硅填料作为主粉紧密填充级配后具有用自由沉降分级所得的体积含量70%的大颗粒段球形二氧化硅的变异系数≤15%的特征。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述球形二氧化硅填料作为主粉紧密填充级配后的加压压实粉体的空隙体积分数≤25%。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中，将所述煅烧得到的球形二氧化硅填料作为中粉和/或细粉紧密填充级配在树脂中形成半导体封装材料；或者利用火焰熔融法球形二氧化硅或单质硅燃烧法球形二氧化硅作为中粉和/或细粉紧密填充级配在树脂中形成半导体封装材料。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述球形二氧化硅填料通过表面处理剂处理后紧密填充级配在树脂中形成半导体封装材料。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法得到的半导体封装材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江三时纪新材科技有限公司，未经浙江三时纪新材科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880036076.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
