[发明专利]在集成电路封装体的腔中集成无源组件在审
| 申请号： | 201880033252.0 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110678976A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·莫罗尼;拉吉夫·丁卡尔·乔希;斯里尼瓦萨恩·K·科杜里;舒扬·昆达普尔·马诺哈尔;约格什·K·拉玛达斯;阿宁迪亚·波达尔 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L23/043 | 分类号： | H01L23/043 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 引线框架 半导体管芯 无源组件 半导体封装体 堆叠布置 电连接 安置 | ||
1.一种半导体封装体，其包括：
引线框架；
半导体管芯，所述半导体管芯附接到所述引线框架；以及
无源组件，所述无源组件通过所述引线框架电连接到所述半导体管芯；
所述引线框架包含腔，所述无源组件的至少一部分安置在所述腔中。
2.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述腔处于所述引线框架的面向所述半导体管芯的一侧。
3.根据权利要求2所述的半导体封装体，其中所述无源组件的一部分位于所述腔内，并且所述无源组件的其余部分处于所述腔外部并且处于所述引线框架与所述半导体管芯之间。
4.根据权利要求2所述的半导体封装体，其中所述引线框架具有从与所述半导体管芯相反的一侧蚀刻并且处于所述腔正下方的部分，并且所蚀刻部分填充有预模制化合物。
5.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述引线框架具有厚度T，并且所述腔的深度为T的约50％。
6.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述引线框架具有厚度T，并且所述腔的深度介于T的约20％与40％之间。
7.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述无源组件的任何部分都不凸出到所述腔之外。
8.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述无源组件为电容器。
9.根据权利要求1所述的半导体封装体，其进一步包括多个铜柱，所述铜柱用于将所述半导体管芯附接到所述引线框架。
10.一种方法，其包括：
蚀刻导电构件以形成半导体管芯的引线框架；
蚀刻所述引线框架以形成腔；
在所述腔内部将电容器附接到所述引线框架；以及
将所述半导体管芯附接到所述引线框架。
11.根据权利要求10所述的方法，其中蚀刻所述引线框架以形成所述腔包含在所述引线框架的面向所述半导体管芯的一侧蚀刻所述引线框架。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述腔的深度小于所述电容器的高度。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述引线框架的厚度为T，并且蚀刻所述引线框架以形成所述腔包含蚀刻所述引线框架，到T的约50％的深度。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述引线框架的厚度为T，并且蚀刻所述引线框架以形成所述腔包含蚀刻所述引线框架，到介于T的约20％与40％之间的深度。
15.一种半导体封装体，其包括：
引线框架；
半导体管芯，所述半导体管芯附接到所述引线框架；以及
电容器，所述电容器通过所述引线框架电连接到所述半导体管芯；
所述引线框架包含处于所述引线框架的面向所述半导体管芯的一侧的腔，并且所述电容器的至少一部分安置在所述引线框架的所述腔内。
16.根据权利要求15所述的半导体封装体，其中所述无源组件的一部分位于所述腔内，并且所述无源组件的其余部分处于所述腔外部且处于所述引线框架与所述半导体管芯之间。
17.根据权利要求15所述的半导体封装体，其中所述引线框架具有从与所述半导体管芯相反的一侧蚀刻并且处于所述腔正下方的部分，其中所蚀刻部分填充有预模制化合物。
18.根据权利要求15所述的半导体封装体，其中所述引线框架具有厚度T，并且所述腔的深度为T的约50％。
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