[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法

权利要求书

1.一种SiC外延晶片，具有SiC单晶基板和设置在所述SiC单晶基板上的外延层，所述SiC单晶基板的主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角，

所述外延层中，从所述SiC单晶基板连接到外表面的基面位错密度为0.1个/cm²以下，Si液滴引起的缺陷密度为0.1个/cm²以下，

所述SiC单晶基板的口径为150mm以上。

2.根据权利要求1所述的SiC外延晶片，所述Si液滴引起的缺陷是所述SiC单晶基板的面内方向中的与偏离方向垂直的方向上由蚀坑排列而成的集合缺陷、和/或分散存在的蚀坑。

3.根据权利要求2所述的SiC外延晶片，所述Si液滴引起的缺陷密度为0个/cm²。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的SiC外延晶片，从所述SiC单晶基板连接到外表面的基面位错和在所述外延层内转换为贯通刃状位错的基面位错的合计的基面位错密度为0.1个/cm²以下。

5.一种SiC外延晶片的制造方法，是制造在SiC单晶基板上结晶生长外延层的SiC外延晶片的方法，所述SiC单晶基板的主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角，所述制造方法具有外延生长工序，

所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，

所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。

6.根据权利要求5所述的SiC外延晶片的制造方法，所述外延生长工序之前，还具有清洁化工序，所述清洁化工序中，在30托以下的压力的氢气氛下，将所述SiC单晶基板的表面加热到1550℃～1650℃，使表面清洁化。

7.根据权利要求5或6所述的SiC外延晶片的制造方法，具有Cl元素的气体兼作为Si系原料气体。