[发明专利]用于制造半导体装置的设备和方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置的设备，其包括：

反应室，所述反应室具有用于保持衬底的衬底保持器；以及

用于加热所述衬底的加热器；其中所述加热器包括竖直腔表面发射激光器，所述竖直腔表面发射激光器被构造和布置成将辐射束发射到所述设备中的衬底，

其中所述衬底保持器是用于以间隔开的关系保持多个半导体衬底的衬底架，所述衬底架包括至少一个支撑构件，所述至少一个支撑构件限定多个间隔开的衬底保持装置，所述衬底保持装置中的每一个被配置成以基本上水平的取向独立地保持衬底，并且所述竖直腔表面发射激光器被构造和布置成至少从所述衬底架的一侧向所述衬底架中的所述衬底发射辐射。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述加热器包括多个竖直腔表面发射激光器，所述多个竖直腔表面发射激光器呈阵列提供以沿所述衬底的方向发射多个辐射束。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述设备包括功率控制器，所述功率控制器个别地控制所述阵列中的各个竖直腔表面发射激光器的功率以个别地控制每个辐射束的功率。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述竖直腔表面发射激光器的阵列被构造和布置成将所述衬底加热到50与1200℃之间的温度。

5.根据权利要求2所述的设备，其中用于沿所述衬底的方向发射辐射的所述竖直腔表面发射激光器的阵列具有10W/cm²至40kW/cm²之间的功率输出。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述竖直腔表面发射激光器发射波长在800nm与1100nm之间的红外辐射。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备具有衬底架旋转装置，所述衬底架旋转装置被构造和布置成使所述衬底架旋转。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述竖直腔表面发射激光器被构造和布置成从所述衬底架的所述一侧向上朝向保持在所述衬底架中的所述衬底的底部发射所述辐射束，发射的角度相对于垂直于所述衬底的表面的线介于60°到90°之间。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备具有反射器，所述反射器被构造并布置在所述设备内，在所述衬底架的相对于所述竖直腔表面发射激光器的另一侧上，以将所述衬底反射的辐射反射回到所述衬底架。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述反射器包括回射器，用于沿与所述辐射束所来的方向相同的方向将所述辐射束反射回去。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包括多个竖直腔表面发射激光器和功率控制器，所述功率控制器个别地控制所述各个竖直腔表面发射激光器的所述功率以调节所述竖直腔表面发射激光器沿着所述衬底架的辐射输出。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述功率控制器被编程为利用在所述衬底架的顶部和底部的所述竖直腔表面发射激光器提供更高的辐射输出。

13.根据权利要求1所述的设备，其中所述加热器包括用于预加热所述衬底的预加热器和用于以最终温度加热所述衬底的最终加热器，并且用于将所述衬底架从所述预加热器移动到所述最终加热器的架处理器以及向所述衬底架中的所述衬底发射辐射的所述竖直腔表面发射激光器设置到所述预加热器。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述预加热器和所述最终加热器设置在反应区域中。

15.根据权利要求14所述的设备，其中所述预加热器被构造和布置在所述最终加热器下方，并且所述架处理器能够将所述衬底架向上移动到所述最终加热器。