[发明专利]研磨用组合物、其制造方法以及使用其的研磨方法及基板的制造方法

权利要求书

1.一种研磨用组合物，其包含：平均一次粒径为5～25nm的磨粒、高度差改良剂、含聚氧化烯基化合物和分散介质，

所述高度差改良剂选自由下述化合物组成的组：

下述化学式(1)所示化合物、

下述化学式(1)所示化合物的盐、

下述化学式(2)所示化合物、

下述化学式(2)所示化合物的盐、以及

下述化学式(1)所示化合物或其盐与如下物质的组合或者下述化学式(2)所示化合物或其盐与如下物质的组合，所述物质为由下述化学式(3)所示的结构单元形成的聚合物或其盐、或者具有下述化学式(3)所示的结构单元和源自其他单体的结构单元的共聚物或其盐，

所述式(1)中，R¹～R⁶分别独立地为氢原子、羟基、磺基、不包含磺基的阴离子性基团、阳离子性基团、碳数2～6的烷氧基羰基、或碳数1～10的烃基，

此时，R¹～R⁶的至少1者为磺基，

所述式(2)中，R⁷～R¹⁴分别独立地为氢原子、羟基、磺基、不包含磺基的阴离子性基团、阳离子性基团、碳数2～6的烷氧基羰基、或碳数1～10的烃基，

此时，R⁷～R¹⁴的至少1者为磺基，

所述式(3)中，R¹⁵～R¹⁹分别独立地为氢原子、羟基、磺基、不包含磺基的阴离子性基团、阳离子性基团、碳数2～6的烷氧基羰基、或碳数1～10的烃基，

此时，R¹⁵～R¹⁹的至少1者为磺基，

R²⁰～R²²分别独立地为氢原子、羟基、不包含磺基的阴离子性基团、阳离子性基团、碳数2～6的烷氧基羰基，或以羟基、不包含磺基的阴离子性基团、阳离子性基团、或碳数2～6的烷氧基羰基取代的或者非取代的碳数1～10的烃基，

所述研磨用组合物的pH为2以上且不足7，

所述磨粒为在表面固定化有有机酸的二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述含聚氧化烯基化合物通过凝胶渗透色谱得到的、聚乙二醇换算的分子量分布具有2个以上的峰。

3.根据权利要求1或2所述的研磨用组合物，其还包含研磨促进剂。

4.根据权利要求1或2所述的研磨用组合物，其中，所述高度差改良剂的含量为0.001g/L以上且5g/L以下。

5.权利要求1～4中任一项所述的研磨用组合物的制造方法，其包括混合所述平均一次粒径为5～25nm的磨粒、所述高度差改良剂、所述含聚氧化烯基化合物及所述分散介质。

6.一种研磨方法，其包括使用权利要求1～4中任一项所述的研磨用组合物对研磨对象物进行研磨。

7.一种基板的制造方法，其包括以权利要求6所述的研磨方法对研磨对象物进行研磨。