[实用新型]一种背光半导体光电类芯片

说明书

本实用新型属于半导体光电类芯领域，具体涉及一种背光半导体光电类芯片，所述背光半导体光电类芯片包括垫片、芯片、背电极、导电银胶和引线；垫片中心处设有通孔；在通孔侧壁以及垫片一侧上下两面设有导通的金层作为引线框架；芯片通过树脂胶将粘接到垫片上且侧壁涂敷树脂胶；背电极固定在芯片上且朝向通孔；导电银胶灌注在通孔内且固化定型；将背电极过渡到垫片或印制电路板上。引线焊接在引线框架上。本实用新型结构简单，通过制备架桥垫片将背电极架空，再采用银浆灌注及固化的方式将背电极引出，最后采用引线焊接的方式完成信号采集，实现半导体光电芯片单管(阵列)与读出电路的互连。

技术领域

本实用新型属于半导体光电类芯领域，具体涉及一种背光半导体光电类芯片。

技术背景

对半导体光电类芯片，为避免信号电极对芯片进/出光(即进光或出光)的干扰，降低结电容，常采用信号电极和进/出光方向背离的形式制备芯片电极，即所谓的背电极。尤其是对于高速类光电探测器、阵列类半导体光电芯片而言，背电极方案显得尤为必要。

阵列类半导体光电芯片与读出电路互连通常有两种技术途径，即通孔互连和倒装焊。通孔互连技术在每个单元旁刻蚀通孔，并在单元正电极及孔内壁依次沉淀钝化层和金属层，通过压焊方式将孔底金属层与读出电路电极的铟柱相连接，最终实现每个单元正电极与对应电路电极的互连。但此技术存在以下两个技术难点：1)为便于实现通孔刻蚀、钝化层和金属层的沉积，通常需要将阵列芯片减薄至50～70μm厚，厚度偏差≤±0.5μm，并保证芯片完整性和平整性；2)通孔内壁的钝化层需满足耐压要求，不出现漏电情况。另一种实现半导体光电芯片与读出电路互连的技术途径是倒装焊，它是采用分别在单元正电极和读出电路相应电极上生长铟柱，再通过压焊的方式实现单元正电极与读出电路电极的互连。基于倒装互连实现背进光的方式是目前激光焦平面探测器的主流工作方式，但该技术存在设备依赖性强，成本较高等问题。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是：现有半导体光电类芯片倒装互连实现背进光的方式设备依赖性强，成本较高。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种背光半导体光电类芯片。

一种背光半导体光电类芯片，包括垫片、芯片、背电极、导电银胶和引线；

垫片中心处设有通孔；在通孔侧壁以及垫片一侧上下两面设有导通的金层作为引线框架；

芯片通过树脂胶将粘接到垫片上且侧壁涂敷树脂胶；

背电极固定在芯片上且朝向通孔；

导电银胶灌注在通孔内且固化定型；

引线焊接在引线框架上。

进一步，所述金层3厚度3～7μm。

进一步，所述树脂胶4为环氧树脂胶。

进一步，所述垫片大小为2mm×2mm×0.2mm，通孔2直径150μm。

(三)有益效果

与现有技术相比较，本实用新型具备如下有益效果：

本实用新型结构简单，架桥垫片将背电极架空，采用银浆灌注及固化的方式将背电极引出，最后采用引线焊接的方式完成信号采集，实现半导体光电芯片单管(阵列)与读出电路的互连。

附图说明

图1为背光半导体光电类芯片示意图；

图2为制备背光半导体光电类芯片过程示意图。

具体实施方式